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J527STR-E-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J527STR-E-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J527STR-E-VB

J527STR-E-VB概述

    P-Channel MOSFET J527STR-E 技术手册解析

    产品简介


    P-Channel MOSFET(P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电力电子领域的电子元器件。J527STR-E 是一款由台湾 VBsemi 电子有限公司生产的 P 沟道 MOSFET,其主要特征是高效率和可靠性,适用于负载开关等多种电力转换应用。

    技术参数


    - 额定电压:VDS = 60V
    - 最大连续漏电流:ID = -30A(TJ = 175°C)
    - 导通电阻:
    - VGS = -10V 时:rDS(on) = 0.061Ω
    - VGS = -4.5V 时:rDS(on) = 0.072Ω
    - 栅极电荷:Qg(Typ) = 10nC
    - 最大功率耗散:PD = 34W (TC = 25°C)
    - 绝对最高额定值:VGS = ±20V
    - 工作温度范围:TJ, Tstg = -55至175°C

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 功率 MOSFET 技术:提高了效率并减少了损耗。
    2. 100% UIS 测试:确保了产品质量的一致性和可靠性。
    3. 高温工作能力:能够在 -55°C 到 175°C 的极端环境下工作,确保稳定运行。
    4. 低导通电阻:0.061Ω 至 0.150Ω 的导通电阻范围,使其适合高功率和高频应用。

    应用案例和使用建议


    1. 负载开关应用:J527STR-E 在负载开关应用中表现出色,特别是在需要高电流和高压的应用环境中。
    2. 电源管理:由于其出色的耐温特性和高可靠性,J527STR-E 也非常适合用于电源管理模块中。
    3. 系统设计:建议在设计时考虑散热问题,特别是高电流条件下工作时,以避免过热导致性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:J527STR-E 采用 TO-252 封装,易于安装和集成到现有电路板设计中。
    - 支持:VBsemi 提供了详尽的技术文档和支持,帮助用户快速解决问题。

    常见问题与解决方案


    1. 过热问题:确保散热设计符合要求,避免长时间大电流工作导致过热。
    2. 电流波动:选择合适的外部栅极电阻,控制栅极信号,减少电流波动。
    3. 损坏风险:确保工作条件不超过绝对最大额定值,特别是 VGS 和电流限制。

    总结和推荐


    J527STR-E 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET,具备出色的电气特性和可靠的工作性能,特别适用于负载开关和电源管理应用。其低温系数和良好的耐高温特性使其在各种极端环境下都能保持稳定运行。此外,VBsemi 提供了全面的支持和技术文档,有助于用户顺利使用和维护。
    综上所述,J527STR-E 是一款值得推荐的产品,无论是对于新项目的设计还是现有系统的升级都具有很高的价值。

J527STR-E-VB参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Id-连续漏极电流 38A
通道数量 -
FET类型 1个P沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J527STR-E-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J527STR-E-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J527STR-E-VB J527STR-E-VB数据手册

J527STR-E-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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起订量: 15 增量: 2500
交货地:
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