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UD6001-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: UD6001-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UD6001-VB

UD6001-VB概述

    # UD6001 60V P-Channel MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    UD6001 是一款由 VBsemi 推出的 P-Channel MOSFET,主要应用于负载开关(Load Switch)等领域。它采用先进的 TrenchFET® 技术制造,具有卓越的性能表现和高可靠性。此产品适用于宽广的工作电压范围,特别适合需要高性能电源管理的电子系统。
    主要功能
    - 低导通电阻(rDS(on)),可实现高效能电能转换。
    - 高温耐受能力,能够在 -55°C 至 +175°C 的温度范围内正常工作。
    - 支持高频开关操作,能够显著提高电路效率。
    应用领域
    - 工业自动化控制设备
    - 通信电源管理系统
    - 汽车电子控制系统
    - 消费类电子产品电源管理

    技术参数


    以下是 UD6001 的关键技术参数列表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 连续漏极电流 | ID -30 | A |
    | 瞬态漏极电流 | IDM -20 | A |
    | 漏极-源极击穿电压 | V(BR)DSS -60 | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | -1.0 | 2.0 | 3.0 | V |
    | 开启状态漏极电流 | ID(on) | A |
    | 导通电阻 | rDS(on) 0.061 | 0.150 | Ω |
    | 输入电容 | Ciss | 1000 pF |
    | 输出电容 | Coss | 120 pF |
    | 反向传输电容 | Crss | 100 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 10 nC |

    产品特点和优势


    特点
    1. 先进的 TrenchFET® 技术:通过减少导通电阻,大幅降低功耗,提升效率。
    2. 高可靠性:所有产品均经过 100% UIS 测试。
    3. 宽温范围:支持 -55°C 至 +175°C 的工作温度,确保在极端环境下仍能稳定运行。
    优势
    - 极低的导通电阻:rDS(on) 最小值仅为 0.061Ω,有效减少了功率损耗。
    - 快速开关速度:具备优异的动态特性,适合高频工作场景。
    - 小型封装:TO-252 封装设计,便于安装和布局。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 负载开关设计:利用 UD6001 的高电流承载能力和快速响应时间,可用于负载的精确控制和保护。
    2. 车载电子设备:由于其宽温范围和高可靠性,非常适合用于汽车电子系统。
    使用建议
    - 在设计时,注意散热问题,尤其是在高功率应用中,需合理布置散热片。
    - 根据实际需求选择合适的栅极驱动电路,以优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    UD6001 与大多数标准 PCB 材料兼容,支持表面贴装工艺。厂商提供全面的技术支持和服务热线(400-655-8788),用户可通过电话咨询或访问官网获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关延迟时间过长 | 调整栅极电阻以优化开关速度。 |
    | 发热严重 | 增加散热措施,例如使用散热片或风扇。 |

    总结和推荐


    综合评估
    UD6001 是一款性能卓越的 P-Channel MOSFET,具备低导通电阻、高可靠性及宽温范围等显著优点。其优异的动态特性使其成为负载开关的理想选择。
    推荐结论
    强烈推荐给需要高性能电源管理解决方案的工程师和技术人员。如果您正在寻找一款能够在严苛条件下稳定工作的 MOSFET,UD6001 是一个非常值得考虑的选择。
    如需进一步了解或订购,请联系服务热线:400-655-8788 或访问官方网站 www.VBsemi.com。

UD6001-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
栅极电荷 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 38A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UD6001-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UD6001-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UD6001-VB UD6001-VB数据手册

UD6001-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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