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HFD5N70S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,700V,2A,RDS(ON),2400mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V);TO252
供应商型号: HFD5N70S-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFD5N70S-VB

HFD5N70S-VB概述

    HFD5N70S N-Channel Super Junction Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    HFD5N70S 是一款N沟道超级结功率MOSFET(场效应晶体管),适用于多种高功率应用。它的设计旨在提供高效的开关性能和强大的耐压能力,广泛应用于工业控制、电机驱动、电源转换和照明系统等领域。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDS): 700V
    - 导通电阻 (RDS(on)): 2.4Ω (在VGS=10V时)
    - 总栅极电荷 (Qg(Max)): 15nC
    - 输入电容 (Ciss): 330pF
    - 输出电容 (Coss): 40pF
    - 反向转移电容 (Crss): 5.0pF
    - 栅源电荷 (Qgs): 3nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 6nC
    - 最大脉冲电流 (IDM): 8.0A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 2mJ
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 165mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 60W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 热阻 (RthJA): 65°C/W
    - 封装形式: TO-252

    3. 产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 低Qg值意味着简单的驱动要求。
    - 高可靠性: 改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。
    - 完全特性化: 电容和雪崩电压及电流的全面特性化。
    - 符合RoHS指令: 符合欧盟关于限制有害物质使用的2002/95/EC指令。
    - 超低热阻: 有助于更好地散热,提升可靠性。

    4. 应用案例和使用建议


    HFD5N70S 广泛应用于工业控制和电机驱动领域,适合需要高功率密度和高效能的应用。例如,在电机驱动系统中,该MOSFET可以显著降低功耗并提高效率。使用建议包括确保电路布局的低寄生电感和良好接地平面,以减少寄生效应。

    5. 兼容性和支持


    HFD5N70S 支持标准的TO-252封装,与其他电子元器件兼容性良好。制造商提供了详尽的技术支持,包括在线文档、应用笔记和专业客户服务热线400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关速度慢。
    - 解决方案: 检查栅极电阻(RG)是否合适,调整RG值可能改善开关速度。

    - 问题: 热管理不佳。
    - 解决方案: 使用更好的散热器或改进PCB设计以增强散热效果。

    - 问题: 雪崩耐受力不足。
    - 解决方案: 在设计中加入额外的保护措施,如瞬态电压抑制器(TVS)二极管。

    7. 总结和推荐


    HFD5N70S N-Channel Super Junction Power MOSFET 的整体性能优异,具备高效的开关性能、良好的耐压能力和优秀的热管理能力。鉴于其广泛的适用性和良好的技术支持,我们强烈推荐使用此产品。

HFD5N70S-VB参数

参数
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 700V
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.4Ω@ 10V
Id-连续漏极电流 2A
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

HFD5N70S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFD5N70S-VB数据手册

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HFD5N70S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.3325
100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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