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IRF5852TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,20V,4.8A,RDS(ON),22mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V,12Vgs(±V);1.2~2.2Vth(V) 封装:SOT23-6
供应商型号: IRF5852TRPBF-VB SOT23-6
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF5852TRPBF-VB

IRF5852TRPBF-VB概述

    IRF5852TRPBF Dual N-Channel 20 V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRF5852TRPBF 是一款高性能的双通道N沟道功率MOSFET,具有卓越的开关特性和低导通电阻(RDS(on))。它适用于多种应用场景,包括电源管理、电机驱动、负载切换等领域。该产品特别适合需要高效率和紧凑设计的应用场合。

    技术参数


    - 最大漏源电压 (VDS):20V
    - 最大栅源电压 (VGS):±12V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在25°C时:3.5A
    - 在70°C时:2.8A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):18A
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在25°C时:1.6W
    - 在70°C时:1.0W
    - 输出电容 (Coss):55pF
    - 输入电容 (Ciss):400pF
    - 总栅极电荷 (Qg):1.8-3nC
    - 零栅极电压漏极电流 (IDSS):1μA @ 20V VDS
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - 在4.5V VGS时:0.022Ω @ 3.4A
    - 在2.5V VGS时:0.028Ω @ 3.0A

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:RDS(on) 为0.022Ω (4.5V VGS),可实现高效的能量转换。
    2. 高可靠性:采用先进的TrenchFET®工艺制造,确保长期可靠运行。
    3. 快速开关特性:低栅极电荷和快速响应时间,有助于提高系统效率。
    4. 环保材料:符合RoHS和无卤素标准,适合绿色电子应用。
    5. 百分之百测试:每个单元都经过Rg测试,确保出厂品质。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换:应用于高效AC-DC或DC-DC转换器中,提供稳定的输出电压。
    - 电机驱动:用于控制电动机的启动和停止,减少能量损耗。
    - 负载切换:实现负载的快速切换,提高系统的响应速度。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,要确保散热措施得当,以避免过热损坏。
    - 在高频开关应用中,应注意栅极驱动信号的质量,避免误触发或误导通。
    - 配合适当的外围电路,如RC滤波器,可以进一步提升系统性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:IRF5852TRPBF 可与多种微控制器和驱动IC配合使用,适用于不同的控制系统。
    - 支持和服务:台湾VBsemi公司提供详尽的技术文档和在线支持,包括应用指南和技术咨询服务。如有任何问题,可联系400-655-8788服务热线获取帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:温度过高导致器件损坏。
    - 解决方案:增加散热片或采用强制风冷,确保器件在安全的工作温度范围内运行。

    2. 问题:开关频率过高导致电磁干扰。
    - 解决方案:优化PCB布局,尽量缩短引线长度,使用屏蔽电缆并添加适当的滤波器。
    3. 问题:驱动信号不稳定导致导通不良。
    - 解决方案:检查驱动电路的电源稳定性和信号完整性,适当调整驱动信号的幅度和频率。

    总结和推荐


    IRF5852TRPBF 是一款专为高效率和紧凑设计需求而优化的高性能N沟道MOSFET。它具有低导通电阻、快速开关时间和高可靠性等特点,适用于广泛的工业和消费类电子产品中。如果你正在寻找一个可靠的MOSFET来提升你的电力管理系统或驱动系统,IRF5852TRPBF 是一个值得考虑的选择。
    综上所述,IRF5852TRPBF 是一款出色的电子元器件,不仅性能优异,而且具有良好的适用性和广泛的市场前景。强烈推荐给对高效能、低功耗和高可靠性有要求的设计工程师。

IRF5852TRPBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.2V~2.2V
Vgs-栅源极电压 12V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 20V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4.8A
Rds(On)-漏源导通电阻 22mΩ@4.5V,28mΩ@2.5V
通用封装 SOT-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF5852TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF5852TRPBF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRF5852TRPBF-VB IRF5852TRPBF-VB数据手册

IRF5852TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
35+ ¥ 0.7779
100+ ¥ 0.7203
500+ ¥ 0.6915
3000+ ¥ 0.6627
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