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K612-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,100V,25A,RDS(ON),55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V,20Vgs(±V);1.4Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: K612-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K612-Z-VB

K612-Z-VB概述

    # K612-Z N-Channel 100V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    K612-Z 是一款由 VBsemi 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(场效应晶体管),基于其先进的 TrenchFET® 技术设计而成。该器件以其卓越的导通电阻、高电流承载能力和优异的热管理能力在众多应用场景中脱颖而出。主要应用于开关电源(如 AC-DC 和 DC-DC 转换器)中的初级侧开关,还广泛适用于高频逆变器和电机驱动等领域。
    主要特性:
    - TrenchFET® 技术:优化的芯片结构显著降低导通电阻。
    - 100% 雪崩测试通过:确保在恶劣工作条件下稳定运行。
    - 低导通电阻:典型值为 0.055Ω(在 VGS = 10V 下测量)。
    应用领域:
    - 开关电源的初级侧开关
    - 逆变器电路
    - 电机驱动器
    - 其他高频开关应用

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | - | 100 | - | V |
    | 漏极连续电流 | ID | 12 | 25 | 83 | A |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | - | 4 | 8 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 0.055 | - | Ω |
    | 输出电容 | Coss | - | 180 | - | pF |
    | 输入电容 | Ciss | - | 1800 | - | pF |
    | 栅极电荷量 | Qg | - | 10 | - | nC |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 175 | °C |
    其他关键参数:
    - 最大栅极击穿电压:±20V
    - 最大功率耗散:83W(TC = 25°C)
    - 热阻抗:RthJA = 15°C/W(典型值)

    3. 产品特点和优势


    K612-Z 的核心优势在于其低导通电阻和高性能的 TrenchFET® 技术。这些特点使其成为高效功率转换的理想选择,具体体现在以下几个方面:
    1. 高效率:低 RDS(on) 值显著减少导通损耗,提高整体系统效率。
    2. 高可靠性:经过 100% 雪崩测试,能够在极端条件下保持稳定运行。
    3. 快速开关性能:极低的门电荷和反向传输电容保证了高速开关操作,适合高频应用。
    市场竞争力:在相同封装尺寸下,K612-Z 的导通电阻和热特性优于同类产品,特别适合对体积和效率要求较高的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    K612-Z 广泛用于 AC-DC 转换器中作为初级侧开关。例如,在 12V 输出、3A 负载的适配器设计中,该器件可有效降低总功耗并提升转换效率。
    使用建议:
    1. 散热管理:为了充分发挥其性能,建议在 PCB 设计时增加散热片或采用大尺寸 PCB 来改善热传导。
    2. 电路保护:在高压端添加瞬态电压抑制二极管以防止意外损坏。
    3. 负载匹配:根据负载大小合理选择器件的额定电流值,避免过流现象。

    5. 兼容性和支持


    K612-Z 与主流焊接工艺和标准插座兼容,方便集成到现有系统中。VBsemi 提供详细的技术文档和支持服务,包括样品申请、在线技术支持以及全面的售前售后服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过温报警频繁触发 | 检查散热措施是否到位 |
    | 开关频率异常 | 确保驱动信号正常,检查外围元件连接情况 |
    | 初始接通延迟时间较长 | 调整栅极电阻值至适当水平 |

    7. 总结和推荐


    K612-Z 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,凭借其卓越的导通电阻、紧凑的封装及广泛的适用性,已成为高效功率转换领域的理想选择。对于需要低损耗和高效率的应用场景,推荐使用此器件。
    推荐指数:★★★★☆(4/5)
    总结:如果您的项目对效率和可靠性要求较高,K612-Z 是一个值得信赖的选择。不过,需根据具体应用需求评估其散热设计是否足够完善。

K612-Z-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@10V,57mΩ@4.5V,73mΩ@2.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.4V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 25A
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K612-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K612-Z-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K612-Z-VB K612-Z-VB数据手册

K612-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.3398
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2500+ ¥ 2.1526
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