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UT23P09-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-16A,RDS(ON),175mΩ@10V,210mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~-3Vth(V) 封装:TO220
供应商型号: UT23P09-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT23P09-VB

UT23P09-VB概述


    产品简介


    P-Channel 100V MOSFET(P沟道100V MOSFET)
    P-Channel 100V MOSFET是一种高性能的功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。这种类型的MOSFET主要用于电源开关及DC/DC转换器等电力电子产品中。它通过其独特的特性,在高电流和高电压条件下提供了卓越的性能,适用于各种严苛的应用环境。

    技术参数


    - 额定参数
    - 漏源电压(VDS): -100 V
    - 源门极电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏电流(TC=25°C): -23 A
    - 脉冲漏电流(IDM): -70 A
    - 单次雪崩电流(IAS): -18 A
    - 单次雪崩能量(EAS): 16.2 mJ
    - 最大功耗(PD): 52.1 W (TC=25°C), 2.5 W (TA=25°C)
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55至150°C
    - 热阻参数
    - 结到环境热阻(RthJA): 50°C/W
    - 结到外壳(结到漏)热阻(RthJC): 3.9°C/W
    - 静态参数
    - 漏源击穿电压(VDS): -100 V
    - 门阈电压(VGS(th)): -1至-2.5 V
    - 门体泄漏电流(IGSS): ±250 nA
    - 零门电压漏电流(IDSS): -1 μA
    - 门阈电压(VGS(th)): -1至-2.5 V
    - 开态漏电流(ID(on)): -15 A
    - 开态漏源电阻(RDS(on)): 0.100Ω (VGS=-10 V, ID=-3.6 A), 0.120Ω (VGS=-4.5 V, ID=-3.4 A)
    - 动态参数
    - 输入电容(Ciss): 1055 pF
    - 输出电容(Coss): 65 pF
    - 反向转移电容(Crss): 41 pF
    - 总门电荷(Qg): 23.2 nC (VGS=-10 V, ID=-3.6 A), 11.7 nC (VGS=-4.5 V, ID=-3.4 A)
    - 门源电荷(Qgs): 3.5 nC
    - 门漏电荷(Qgd): 4.8 nC
    - 门电阻(Rg): 1.2Ω (f=1 MHz)
    - 开关时间参数
    - 导通延迟时间(td(on)): 7-14 ns
    - 上升时间(tr): 12-18 ns
    - 关断延迟时间(td(off)): 33-50 ns
    - 下降时间(tf): 9-18 ns

    产品特点和优势


    - Halogen-free:根据IEC 61249-2-21定义,此MOSFET无卤素,环保。
    - TrenchFET®技术:采用先进的沟槽技术,提高性能和可靠性。
    - 高可靠性测试:100% Rg和UIS测试,确保产品性能。
    - 符合RoHS标准:完全符合欧盟RoHS指令。

    应用案例和使用建议


    P-Channel 100V MOSFET广泛应用于电力开关和DC/DC转换器等场合。例如,在直流电源系统中,它可以作为高效开关来控制电流的流动。在使用时,建议参考手册中的安全工作区(SOA)曲线以避免过载导致的损坏。
    - 使用建议
    - 为了保证最佳性能,建议工作时漏源电压(VDS)不超过100V。
    - 门极电压(VGS)不应超过±20V。
    - 在高功率应用中,建议使用散热片来降低工作温度,延长使用寿命。

    兼容性和支持


    该产品与其他常见的电力电子设备兼容,适用于大多数直流电源设计。VBsemi提供详细的技术支持文档和专业服务,确保客户在使用过程中能够获得必要的帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: MOSFET过热怎么办?
    - 解决方案: 增加散热措施,如安装散热片,并确保工作在规定的温度范围内。
    - 问题2: 开关时间不一致怎么办?
    - 解决方案: 确保门极电阻值正确,检查输入信号质量和电路连接是否可靠。

    总结和推荐


    综上所述,P-Channel 100V MOSFET是一款高性能、可靠的电力开关器件。它具备出色的电气特性和耐用性,适合多种电力电子应用。对于需要高效率、低损耗且具有优秀热稳定性的应用场合,推荐使用该产品。其在环保标准方面的表现也非常突出,符合现代电子产品的趋势要求。

UT23P09-VB参数

参数
栅极电荷 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
Rds(On)-漏源导通电阻 175mΩ@10V,210mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 16A
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

UT23P09-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT23P09-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT23P09-VB UT23P09-VB数据手册

UT23P09-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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