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K8A45D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: K8A45D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K8A45D-VB

K8A45D-VB概述

    # K8A45D N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本信息
    K8A45D 是一款高性能的 N-Channel 650V 功率 MOSFET,适用于多种高电压电源转换应用。它具备低损耗特性,适用于服务器、电信电源、开关电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)和照明系统(如高强度放电灯、荧光灯镇流器)。
    主要功能
    - 低导通电阻(RDS(on))
    - 低输入电容(Ciss)
    - 超低栅极电荷(Qg)
    - 高雪崩能量耐受能力(UIS)
    应用领域
    - 服务器和电信电源
    - 开关电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明(高强度放电灯、荧光灯镇流器)
    - 工业设备

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源击穿电压 (VDS) 650 | V |
    | 漏源导通电阻 (RDS(on)) 0.44 | Ω |
    | 栅极漏电流 (IGSS) ±100 | nA |
    | 漏极连续电流 (ID) | 12 | 9.4 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) 250 | mJ |
    | 热阻(结至壳) (RthJC) 0.8 | °C/W |
    | 输入电容 (Ciss) 63 | pF |
    | 输出电容 (Coss) 105 | pF |
    | 总栅极电荷 (Qg) 43 | nC |

    产品特点和优势


    特点
    - 极低的导通电阻和栅极电荷,使得在高频应用中表现出色。
    - 低输入电容和超低栅极电荷,有助于减少开关过程中的能量损耗。
    - 高雪崩能量耐受能力,使其能够在极端条件下稳定运行。
    优势
    - 在高频开关电源中表现出优异的性能,有效降低系统的总体功耗。
    - 适用于恶劣的工作环境,具备高可靠性。
    - 可以简化电路设计,提高系统效率。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 服务器和电信电源:在这些高可靠性需求的应用中,K8A45D 的高雪崩耐受能力和低功耗特性可以显著提升系统的整体性能。
    - 工业设备:例如,在高压工业驱动器中,K8A45D 的高可靠性和低损耗特性使其成为理想选择。
    使用建议
    - 在设计过程中,应注意散热管理,确保 MOSFET 处于安全的工作温度范围内。
    - 结合外部栅极驱动器,使用适当的栅极电阻(Rg),以控制开关速度,减少瞬态电压和电流应力。

    兼容性和支持


    兼容性
    K8A45D 支持广泛的应用范围,并且与市场上大多数高频开关电源模块兼容。制造商提供详尽的技术文档和丰富的技术支持资源,帮助客户顺利集成到现有系统中。
    支持和维护
    台湾 VBsemi 有限公司为客户提供全面的技术支持和售后保障,确保产品在各种复杂应用场景下的稳定运行。官方渠道提供了详细的使用指南和技术文档,以便用户参考和学习。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何正确连接栅极和源极?
    - 应确保栅极通过适当的栅极电阻连接到驱动信号,同时源极连接到电路的负端。
    2. 长时间运行时,热管理需要注意哪些方面?
    - 定期检查散热装置的效能,保持良好的热传导路径,避免高温导致器件损坏。
    3. 如果遇到雪崩事件如何处理?
    - 确认雪崩电流在器件的额定范围内,进行必要的电路调整和保护措施。
    解决方案
    - 查阅技术手册和应用笔记:详细的技术资料可以帮助您快速找到解决方案。
    - 联系技术支持:如遇到复杂问题,可直接联系制造商的技术支持团队获取专业帮助。

    总结和推荐


    综合评估
    K8A45D 在技术参数和应用表现上都显示出卓越性能,特别是在高频率、高可靠性要求的应用环境中。其出色的热管理能力和耐用性使其成为现代电源转换领域的优选器件。
    推荐使用
    鉴于其出色的性能和广泛的应用领域,我们强烈推荐 K8A45D 在高电压、高可靠性的电力转换系统中使用。无论是在服务器、电信设备还是工业自动化领域,这款 MOSFET 都能显著提升系统的整体性能和可靠性。

K8A45D-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 12A
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K8A45D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K8A45D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K8A45D-VB K8A45D-VB数据手册

K8A45D-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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