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JCS4N60F-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: JCS4N60F-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS4N60F-O-F-N-B-VB

JCS4N60F-O-F-N-B-VB概述

    JCS4N60F-O-F-N-B-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    JCS4N60F-O-F-N-B-VB 是一款高性能的 N-Channel 650V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和驱动应用。该器件具备低门极电荷(Qg)特性,简化了驱动要求;增强的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐压性;完全标定的电容和雪崩电压及电流。此外,它符合 RoHS 指令 2002/95/EC 的标准。

    技术参数


    - 电气参数:
    - 额定电压 \( V{DS} \): 650V
    - 门极源极电压 \( V{GS} \): ±30V
    - 连续漏极电流 \( ID \)(TC VGS = 10V, 25°C): 3.8A
    - 脉冲漏极电流 \( I{DM} \): 18A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 325mJ
    - 最大功率耗散 \( PD \)(TC = 25°C): 30W
    - 峰值二极管恢复电压 \( dV/dt \): 2.8V/ns
    - 工作结温和存储温度范围 \( T{J}, T{STG} \): -55°C 到 +150°C
    - 热阻抗:
    - 最大结点到环境热阻 \( R{thJA} \): 65°C/W
    - 最大结点到外壳热阻 \( R{thJC} \): 2.1°C/W
    - 静态参数:
    - 漏极源极击穿电压 \( V{DS} \)(\( V{GS} = 0V \), \( ID = 250\mu A \)): 650V
    - 门极源极阈值电压 \( V{GS(th)} \)(\( V{DS} = V{GS} \), \( ID = 250\mu A \)): 2.0V 至 4.0V
    - 门极源极泄漏 \( I{GSS} \)(\( V{GS} = ±30V \)): ±100nA
    - 零门极电压漏极电流 \( I{DSS} \)(\( V{DS} = 650V \), \( V{GS} = 0V \)): 25µA
    - 动态参数:
    - 输入电容 \( C{iss} \)(\( V{GS} = 0V \), \( V{DS} = 25V \), \( f = 1.0 \text{MHz} \)): 80pF
    - 输出电容 \( C{oss} \)(\( V{GS} = 0V \), \( V{DS} = 1.0V \), \( f = 1.0 \text{MHz} \)): 1912pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \)(\( V{GS} = 0V \), \( V{DS} = 1.0V \), \( f = 1.0 \text{MHz} \)): 7.0pF
    - 总门极电荷 \( Qg \)(\( ID = 3.2A \), \( V{GS} = 10V \)): 48nC
    - 门极源极电荷 \( Q{gs} \): 12nC
    - 门极漏极电荷 \( Q{gd} \): 19nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 4ns
    - 上升时间 \( tr \): 20ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 34ns
    - 下降时间 \( tf \): 18ns

    产品特点和优势


    - 低门极电荷:简化驱动要求,降低了电路复杂度和成本。
    - 高耐压性:具备出色的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐压性,确保了长期可靠的工作。
    - 精确标定的电容和电压:完全标定的电容和雪崩电压及电流,确保了精确的测量和控制。
    - RoHS 符合性:符合环保要求,适合广泛应用。

    应用案例和使用建议


    JCS4N60F-O-F-N-B-VB MOSFET 广泛应用于电源转换器、电机驱动器、太阳能逆变器和照明系统等领域。对于需要高效率和高可靠性的应用,如电动汽车充电站和工业自动化系统,这款 MOSFET 是理想的选择。
    使用建议:
    1. 散热管理:确保适当的散热措施,避免因过热而导致性能下降。
    2. 布局优化:尽量减少寄生电感,采用接地平面和低泄露电感设计。
    3. 测试验证:在应用前进行详细的测试验证,以确保产品在实际应用中的稳定性和可靠性。

    兼容性和支持


    JCS4N60F-O-F-N-B-VB MOSFET 与其他电子元器件具有良好的兼容性,适用于多种电路配置。制造商提供了详尽的技术支持和维护信息,客户可以随时联系服务热线(400-655-8788)获取帮助和支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:电路过热导致性能下降。
    - 解决方案:确保电路设计中包含有效的散热措施,如加装散热片或使用冷却风扇。

    - 问题 2:开启和关闭延迟时间不一致。
    - 解决方案:检查电路设计中是否存在寄生电感或电容,调整电路布局以减少这些影响。

    总结和推荐


    综上所述,JCS4N60F-O-F-N-B-VB MOSFET 在高效率、高可靠性方面表现出色,适用于各种电力转换和驱动应用。我们强烈推荐这款产品给需要高性能 MOSFET 的用户。无论是在工业自动化、电动汽车充电站还是太阳能逆变器中,这款器件都能提供卓越的表现。

JCS4N60F-O-F-N-B-VB参数

参数
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 4A
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS4N60F-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS4N60F-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS4N60F-O-F-N-B-VB JCS4N60F-O-F-N-B-VB数据手册

JCS4N60F-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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起订量: 15 增量: 1000
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最小起订量为:15
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型号 价格(含增值税)
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