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FDD6030A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,70A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.8Vth(V) 封装:TO252 该器件的高电压承受能力和耐高温特性使其在电池管理模块中有广泛的应用,适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、马达驱动和电池管理等领域的模块中。
供应商型号: FDD6030A-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDD6030A-VB

FDD6030A-VB概述

    FDD6030A N-Channel 30-V MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FDD6030A 是一种 N-沟道 MOSFET,专为高可靠性电源管理而设计。它采用 TrenchFET® Power MOSFET 技术,具备卓越的开关性能和低导通电阻。该产品主要用于服务器、OR-ing 和 DC/DC 转换器等领域。

    2. 技术参数


    - 主要电气特性
    - VDS(漏源电压):30V
    - RDS(on)(导通电阻):
    - 在 VGS=10V,ID=21.8A 时:0.007Ω
    - 在 VGS=4.5V,ID=18A 时:0.009Ω
    - Qg(栅电荷):
    - 在 VDS=15V,VGS=10V,ID=21.8A 时:35nC
    - 在 VDS=15V,VGS=4.5V,ID=21.8A 时:25nC
    - 绝对最大额定值:
    - VDS:30V
    - VGS:±20V
    - 连续漏极电流(TJ=175°C):
    - TC=25°C 时:8A
    - TA=70°C 时:1A
    - 单脉冲雪崩能量:94.8mJ
    - 最大功耗(TC=25°C):100W
    - 工作环境
    - 操作温度范围:-55°C 至 175°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻抗:
    - 最大结壳热阻(稳态):0.5°C/W
    - 最大结壳瞬态热阻(峰值脉冲):32°C/W

    3. 产品特点和优势


    FDD6030A 具有以下特点和优势:
    - 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试确保其高可靠性。
    - 低导通电阻:RDS(on) 在 VGS=10V 时仅为 0.007Ω,降低损耗。
    - 快速开关速度:优秀的动态特性保证高速开关性能。
    - 环境友好:符合 RoHS 标准,无铅且不含卤素,适用于绿色电子产品。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用场景:
    - 服务器电源:提供高效的电力转换和管理。
    - OR-ing 电路:在多个电源之间进行选择和切换,提高系统可靠性。
    - DC/DC 转换器:实现高效的电压转换,适用于各种电源设计。
    - 使用建议:
    - 在服务器电源设计中,建议结合良好的散热措施,以防止过热。
    - 在 OR-ing 电路中,确保适当的驱动电路设计以避免电压波动。
    - 在 DC/DC 转换器中,考虑增加额外的保护电路,以防异常情况发生。

    5. 兼容性和支持


    FDD6030A 兼容大多数标准表面贴装工艺,并可与多种电路板和模块配合使用。厂商提供详尽的技术支持和维护服务,确保用户能够顺利进行产品应用和故障排查。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 如何确定 FDD6030A 的最佳工作条件?
    - A: 通过查阅技术手册中的温度曲线和电气特性图,找到适合特定应用的最佳工作点。
    - Q: 遇到过热问题怎么办?
    - A: 检查散热设计是否合理,适当增加散热片或风扇来降低器件温度。
    - Q: 寿命是否稳定?
    - A: 该器件经过严格的测试,确保其具有长寿命和高可靠性。如需更详细的数据,可联系技术支持获取更多信息。

    7. 总结和推荐


    FDD6030A N-Channel MOSFET 是一款高性能的电子元器件,具有出色的性能和广泛的应用前景。其低导通电阻、快速开关能力和优异的热稳定性使其成为许多电力管理和转换应用的理想选择。对于需要高可靠性和高性能的系统,强烈推荐使用 FDD6030A。
    请随时联系我们的客户服务团队获取更多支持,电话:400-655-8788。

FDD6030A-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.8V
栅极电荷 -
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 70A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDD6030A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDD6030A-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDD6030A-VB FDD6030A-VB数据手册

FDD6030A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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