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76609D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N型场效应管,适用于多种应用场景。具有高达100V的漏极-源极电压、20V的栅极-源极电压和1.8V的门槽电压。在VGS=10V时,漏极-源极电阻为114m?,适用于广泛的电压工作范围。采用Trench技术,提供了更好的性能和可靠性
供应商型号: 76609D-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 76609D-VB

76609D-VB概述


    产品简介


    本文将详细介绍一款N-Channel 100 V (D-S) MOSFET电子元器件。这款N-Channel MOSFET是基于TrenchFET® Power MOSFET技术设计的,适用于多种电源管理场合。它具有高效能、高可靠性的特点,在多种应用领域中表现出色。

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) | 100 V |
    | 门限电压 (VGS(th)) 2 | 4 | V |
    | 门体泄漏电流 (IGSS) ± 100 nA |
    | 开态漏源电阻 (RDS(on)) | 0.075 0.14 | Ω |
    | 漏极连续电流 (ID) 40 A |
    | 雪崩击穿电流 (IAS) | 3 A |
    | 最大雪崩能量 (EAS) | 18 mJ |
    | 工作结温和存储温度范围 (TJ, Tstg) | -55 175 | °C |

    产品特点和优势


    该款N-Channel MOSFET采用先进的TrenchFET® Power MOSFET技术,能够在高达175°C的结温环境下稳定运行。其PWM优化设计使其适用于各类开关电源,同时具备出色的短路保护能力。其低RDS(on)特性使得在高电流环境中能效更高,损耗更小。此外,该产品符合RoHS标准,确保在环保要求严格的市场上仍能保持竞争力。

    应用案例和使用建议


    该款MOSFET主要应用于电源管理、电机控制、电源逆变等领域。在电源逆变器的应用中,由于其出色的热性能和低导通电阻,可以显著提高逆变器的效率。具体使用时应注意散热问题,选择合适的散热片以避免过热现象。此外,通过调整驱动电路的设计,如优化栅极电阻和驱动信号,可以进一步提升其性能表现。

    兼容性和支持


    该款MOSFET在与多数电源管理IC和电机控制器的兼容性方面表现良好,适用于广泛的电源管理系统。制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括应用指南和软件工具,帮助用户快速上手并充分利用其功能。对于技术支持和售后服务,客户可通过官网或热线电话联系到专业的工程师团队进行咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备开机后MOSFET发热严重。
    - 解决方案: 检查是否散热不足,增加散热措施或降低负载电流。
    2. 问题: MOSFET的导通电阻过高。
    - 解决方案: 确保门限电压满足要求,检查门极驱动电路,必要时增加栅极电阻以改善驱动性能。

    总结和推荐


    总体来看,该款N-Channel 100 V MOSFET凭借其高性能、高可靠性以及广泛的应用范围,成为许多电力电子系统中不可或缺的关键元件。无论是在电源逆变器还是电机控制系统中,该产品都能展现出卓越的表现。鉴于其优秀的性价比和全方位的支持服务,推荐在需要高效率、高可靠性的应用场景中使用此产品。

76609D-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 115mΩ@10V,121mΩ@4.5V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 18A
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

76609D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

76609D-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 76609D-VB 76609D-VB数据手册

76609D-VB封装设计

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