处理中...

首页  >  产品百科  >  95T06S-VB

95T06S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,60V,120A,RDS(ON),5mΩ@10V,44mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.6Vth(V) 封装:TO220 在工业电力系统中,该产品可用于开关电源、电机驱动器和UPS(不间断电源)等模块,以实现对电能的高效控制和转换。
供应商型号: 95T06S-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 95T06S-VB

95T06S-VB概述


    产品简介


    95T06S-VB N-Channel 60V MOSFET
    95T06S-VB 是一款高性能的N沟道MOSFET,采用TrenchFET®技术制造,适用于多种电子应用场合。其额定电压为60V,最大持续漏极电流可达120A,能够在高温环境下稳定工作,非常适合高可靠性需求的应用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    | : | : | : | : | : | : |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 60 | - | V |
    | 门限电压 | VGS(th) | 2 | 4 | - | V |
    | 门体漏电流 | IGSS | -100 | - | 100 | nA |
    | 零门限漏电流 | IDSS | - | - | 50 | µA |
    | 持续漏极电流(TJ=175°C) | ID | - | 120 | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | - | - | 350 | A |
    | 最大耗散功率 | PD | - | - | 136 | W |
    | 输出电容 | Coss | - | 570 | - | pF |
    | 反向传输电容 | Crss | - | 325 | - | pF |

    产品特点和优势


    - 高可靠性:最高工作温度可达175°C,适用于恶劣环境。
    - 低导通电阻:在VGS = 10V时,RDS(on)典型值仅为5mΩ。
    - 高抗浪涌能力:最大单次雪崩能量可达125mJ。
    - 高耐压:绝对最大电压为±20V。
    - 卓越的热稳定性:RthJA典型值为15°C/W,RthJC典型值为0.85°C/W。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    95T06S-VB MOSFET在电力转换、电机驱动、开关电源等应用中表现出色。例如,在高压开关电源中,它能够高效地进行电压转换和电流控制,同时保证系统的稳定性。
    使用建议
    - 散热管理:由于该MOSFET的高功率损耗,需要配备良好的散热装置,如散热片或散热器,以确保稳定工作。
    - 保护措施:使用外部电路(如栅极电阻)保护MOSFET免受过压和过流冲击。

    兼容性和支持


    - 兼容性:95T06S-VB可广泛应用于各种电子设备,与大多数通用控制器和驱动电路兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持,帮助客户快速理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |
    | : | : |
    | 散热不良导致过热 | 确保使用合适的散热装置,增加散热面积。 |
    | 栅极电压不稳定 | 添加外部栅极电阻,防止电压波动。 |
    | 开关速度慢 | 减少栅极电阻,加快开关速度。 |

    总结和推荐


    总结:
    95T06S-VB N-Channel 60V MOSFET凭借其出色的可靠性和高效性能,在高压电力转换和电机驱动等领域具有显著的优势。其低导通电阻和高抗浪涌能力使其在高负载情况下依然表现优异。
    推荐:
    鉴于95T06S-VB的优越性能和广泛的应用场景,我们强烈推荐使用此产品。对于要求高可靠性的系统,此款MOSFET是一个理想的选择。

95T06S-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,44mΩ@4.5V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.6V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 120A
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

95T06S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

95T06S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 95T06S-VB 95T06S-VB数据手册

95T06S-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.887
100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.4551
1000+ ¥ 3.3111
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 38.87
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336