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IPD127N06LG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,60A,RDS(ON),9mΩ@10V,11mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.87Vth(V) 封装:TO252\n适用于各种中等功率的电源管理和驱动应用。
供应商型号: IPD127N06LG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IPD127N06LG-VB

IPD127N06LG-VB概述

    # IPD127N06LG-VB N-Channel 60V MOSFET 技术手册

    产品简介


    IPD127N06LG-VB 是一款高性能的 N 沟道 60V(D-S)功率 MOSFET,由 VBsemi 生产,适用于多种高可靠性电子应用。其采用 TO-252 封装形式,适合表面贴装设计。该产品具有出色的热管理和低导通电阻特性,非常适合开关电源、直流电机驱动、LED 照明以及其他需要高效能电力转换的应用。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 导通电阻(10V 驱动电压下)| RDS(on) | 0.010 | 0.016 | 0.020 | Ω |
    | 最高击穿电压 | VDS | 60 V |
    | 最大连续漏极电流 | ID | 10 | 60 | 100 | A |
    | 工作结温范围 | TJ | -55 | 175 | 175 | °C |
    | 热阻抗(稳态) | RthJA | 40 | 50 °C/W |

    产品特点和优势


    IPD127N06LG-VB 的主要特点包括:
    1. 高温工作能力:能够在高达 175°C 的结温条件下稳定运行。
    2. TrenchFET® 技术:显著降低导通电阻,提升效率。
    3. 优越的热管理性能:具有较低的热阻抗,确保设备在高负载下长期可靠运行。
    4. 快速开关性能:出色的动态特性使其成为高频应用的理想选择。

    应用案例和使用建议


    IPD127N06LG-VB 广泛应用于开关电源(如 DC/DC 转换器)、电机控制和 LED 驱动等领域。为了充分发挥其性能,建议:
    - 在高功率应用中,合理利用其大电流能力并注意散热。
    - 使用低阻抗 PCB 设计以减少寄生效应。
    - 结合 PWM 控制策略,进一步提升系统的效率和稳定性。

    兼容性和支持


    IPD127N06LG-VB 与主流电子元器件高度兼容,适用于各种主流 PCB 布局。VBsemi 提供详尽的技术文档和专业的技术支持团队,以帮助客户顺利集成产品到设计中。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高导致设备异常 | 加强散热措施,优化 PCB 设计。 |
    | 开关速度不够快 | 降低栅极电阻,优化驱动电路。 |
    | 漏电流偏大 | 确保正确焊接及良好的 PCB 表面质量。 |

    总结和推荐


    总体而言,IPD127N06LG-VB 是一款卓越的 N 沟道 MOSFET,具备优异的性能指标和广泛的适用性。我们强烈推荐此产品用于需要高效能和可靠性的电力电子应用中。其高性价比和良好的技术支持使其在市场上极具竞争力。如有需求,请随时联系我们的服务热线:400-655-8788 或访问官网 www.VBsemi.com 获取更多详细信息。

IPD127N06LG-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.87V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@10V,11mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 60A
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IPD127N06LG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IPD127N06LG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IPD127N06LG-VB IPD127N06LG-VB数据手册

IPD127N06LG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.1597
500+ ¥ 2.0733
2500+ ¥ 1.987
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