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NP90N055VUG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,110A,RDS(ON),4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.8Vth(V) 封装:TO252\n适用于需要中等功率、中等电流的电子系统,如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: NP90N055VUG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP90N055VUG-VB

NP90N055VUG-VB概述

    # N-Channel 60V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    本文档介绍了VBsemi公司的NP90N055VUG型N-Channel 60V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该产品是一种高性能的低电压功率MOSFET,广泛应用于电力转换、驱动电机、开关电源等领域。其主要特征包括极低的导通电阻和高可靠性,能够满足各种严苛的应用环境需求。

    技术参数


    以下是该MOSFET的主要技术参数:
    - 漏源电压 (VDS):60V
    - 栅源电压 (VGS):±20V
    - 最大连续漏电流 (ID):97A (TC=25°C),56A (TC=125°C)
    - 单脉冲雪崩电流 (IAS):45A
    - 最大脉冲雪崩能量 (EAS):101mJ
    - 最高功率耗散 (PD):136W (TC=25°C),45W (TC=125°C)
    - 热阻抗 (RthJA):50°C/W (PCB安装)
    特性参数
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 (VDS):60V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)):2.0V~4.0V
    - 零栅电压漏极电流 (IDSS):1μA (VDS=60V, TJ=125°C), 50μA (VDS=60V, TJ=175°C)
    - 导通漏极电流 (ID(on)):50A (VGS=10V, VDS≥5V)
    - 导通漏源电阻 (RDS(on)):0.0050Ω (VGS=10V, ID=25A),0.0117Ω (VGS=10V, ID=25A, TJ=125°C),0.0149Ω (VGS=10V, ID=25A, TJ=175°C)
    - 动态特性
    - 输入电容 (Ciss):4844pF~6060pF
    - 输出电容 (Coss):441pF~555pF
    - 反向传输电容 (Crss):200pF~250pF
    - 总栅极电荷 (Qg):82nC~125nC
    - 栅极-源极电荷 (Qgs):14.5nC
    - 栅极-漏极电荷 (Qgd):13.5nC
    - 栅极电阻 (Rg):1Ω~3Ω
    - 开启延时时间 (td(on)):14ns~21ns
    - 上升时间 (tr):58ns
    - 关闭延时时间 (td(off)):41ns~62ns
    - 下降时间 (tf):7ns~11ns

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:VGS=10V时,导通电阻仅为0.0050Ω,保证了低功耗运行。
    2. 高可靠性:经过全面测试(100% Rg和UIS测试),确保产品质量。
    3. 宽工作温度范围:工作温度范围为-55°C到+175°C,适用于极端环境。
    4. 出色的热管理:具有低热阻抗,能有效散热,提升器件使用寿命。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    该MOSFET广泛应用于电力转换电路、逆变器、电机驱动等场合。例如,在电动汽车的电池管理系统中,可以用于控制电池的充放电过程。
    使用建议
    1. 安装方式:建议采用FR-4材料的PCB板进行安装,尺寸为1" x 1",双面覆铜厚度为2oz,确保良好的散热效果。
    2. 驱动电路设计:设计驱动电路时,应注意输出电容和反向传输电容的影响,选择合适的栅极电阻以优化开关速度。
    3. 散热设计:由于该器件的最大功耗较高,设计散热结构时需考虑热阻抗,可采用散热片或风扇辅助散热。

    兼容性和支持


    - 兼容性:NP90N055VUG可与其他符合标准的电子元件兼容,如驱动IC和保护电路等。
    - 技术支持:VBsemi公司提供详细的技术文档和售后服务,如需要技术支持可联系服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    问题1:设备过热
    解决方案:增加散热措施,如使用散热片或外置风扇;检查PCB布局是否合理,避免热点产生。
    问题2:开关损耗大
    解决方案:优化驱动电路设计,减小栅极电阻,提高开关速度;选择更优的驱动IC。
    问题3:击穿电压不稳定
    解决方案:检查器件连接是否正确,确认所有引脚都牢固接地;重新检测安装情况,确保无虚焊现象。

    总结和推荐


    NP90N055VUG是一款高性能的N-Channel 60V MOSFET,具备优异的导通特性和热管理能力。其出色的稳定性与广泛应用使其成为电力电子系统中的优选器件。对于需要高可靠性和低功耗的应用场合,强烈推荐使用这款产品。

NP90N055VUG-VB参数

参数
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 110A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.8V
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ@10V,15mΩ@4.5V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP90N055VUG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP90N055VUG-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP90N055VUG-VB NP90N055VUG-VB数据手册

NP90N055VUG-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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