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UT3N01ZL-AE2-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,0.3A,RDS(ON),2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.6Vth(V) 封装:SOT23-3 适用于低功率电路应用。其特点是低漏极电流和低功耗,适合要求电路功耗低、稳定性高的场合。采用Trench技术,具有较高的栅极-源极电阻,适合用于低功率应用。
供应商型号: UT3N01ZL-AE2-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT3N01ZL-AE2-R-VB

UT3N01ZL-AE2-R-VB概述

    N-Channel 60-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    N-Channel 60-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种低阈值电压的电子元器件,适用于多种应用场景。这款MOSFET采用TrenchFET®技术,具备出色的电气特性和快速的开关速度,适用于逻辑电平接口、驱动器、电池供电系统和固态继电器等领域。

    技术参数


    以下是该MOSFET的技术参数列表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 60 V |
    | 门极-源极电压 | VGS | ±20 V |
    | 持续漏极电流 | ID | 250 mA |
    | 脉冲漏极电流 | IDM 800 | mA |
    | 功耗 | PD | 0.30 0.13 | W |
    | 热阻抗 | RthJA 350 °C/W |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55至150 °C |

    产品特点和优势


    - 低阈值电压:典型值为2V,使该MOSFET容易驱动且无需缓冲。
    - 低输入电容:输入电容仅为25pF,适合高速电路。
    - 快速开关速度:开关时间为25ns,非常适合高频应用。
    - 低输入和输出泄漏电流:确保高可靠性和低功耗。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 逻辑电平接口:适用于TTL/CMOS逻辑电平接口。
    - 驱动器:可应用于继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。
    - 电池供电系统:适合各种便携式电子设备。
    - 固态继电器:提供可靠的控制功能。
    使用建议:
    - 在设计高速电路时,注意输入电容的影响。
    - 使用散热片来提高热管理性能。
    - 注意在高温环境下的性能变化,选择合适的散热方案。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准SOT-23封装兼容,适用于大多数印刷电路板。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括设计指南和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高温环境下出现异常。
    - 解决方法:增加散热片或改善散热路径,确保设备运行温度不超过额定范围。

    - 问题:电路在切换过程中出现不稳定现象。
    - 解决方法:检查电源稳定性和电路布局,确保正确的接线和电源供应。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点:
    - 高速开关性能。
    - 低阈值电压和输入电容,易于驱动。
    - 优异的热管理和可靠性。
    - 推荐:鉴于其出色的电气特性和广泛应用领域,我们强烈推荐N-Channel 60-V MOSFET用于高速和高性能电子系统的设计和应用。

UT3N01ZL-AE2-R-VB参数

参数
配置 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2800mΩ@10V,3000mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V
Id-连续漏极电流 300mA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT3N01ZL-AE2-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT3N01ZL-AE2-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT3N01ZL-AE2-R-VB UT3N01ZL-AE2-R-VB数据手册

UT3N01ZL-AE2-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
140+ ¥ 0.1945
300+ ¥ 0.1801
500+ ¥ 0.1729
3000+ ¥ 0.1657
库存: 400000
起订量: 140 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:140
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