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9950GP-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,80V,100A,RDS(ON),7mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2.7Vth(V) 封装:TO220 适用于需要高电压耐受能力、大电流特性和稳定性的领域和模块,如电源模块、电机驱动、光伏逆变器和电动汽车充电桩等。
供应商型号: 9950GP-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 9950GP-VB

9950GP-VB概述

    9950GP-VB N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    9950GP-VB 是一款高性能的N沟道80V(漏-源)MOSFET,采用TrenchFET® Power MOSFET技术。它广泛应用于开关电源、同步整流、DC/AC逆变器以及LED背光等领域。此MOSFET具有出色的电气特性和耐用性,适用于多种电力转换应用。

    技术参数


    - 电压规格
    - 漏-源电压 \( V{DS} \): 80V
    - 栅-源电压 \( V{GS} \): ±20V
    - 连续漏电流 \( ID \)(TJ = 150°C): 28.6A
    - 脉冲漏电流 \( I{DM} \)(\( t = 100 \mu s \)): 350A
    - 最大功率耗散 \( PD \)(TC = 70°C): 180W
    - 电阻参数
    - 漏-源导通电阻 \( R{DS(on)} \)(VGS = 10V, ID = 20A): 7mΩ
    - 漏-源导通电阻 \( R{DS(on)} \)(VGS = 6V, ID = 15A): 7.5mΩ
    - 漏-源导通电阻 \( R{DS(on)} \)(VGS = 4.5V, ID = 10A): 9mΩ
    - 电容参数
    - 输入电容 \( C{iss} \)(VDS = 40V, VGS = 0V, f = 1 MHz): 3855pF
    - 输出电容 \( C{oss} \)(VDS = 40V): 1120pF
    - 反向传输电容 \( C{rss} \)(VDS = 40V): 376pF
    - 动态参数
    - 总栅极电荷 \( Qg \)(VDS = 40V, VGS = 10V, ID = 10A): 35.5nC
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \)(VDD = 40V, RL = 4Ω, ID ≈ 10A, VGEN = 10V, Rg = 1Ω): 12~24ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \)(VDD = 40V, RL = 4Ω, ID ≈ 10A, VGEN = 6.0V, Rg = 1Ω): 30~60ns

    产品特点和优势


    9950GP-VB MOSFET 的主要特点是其高可靠性,通过了所有栅极电阻(\( R{g} \))和UIS测试。它具有低导通电阻(\( R{DS(on)} \)),适合于需要高效能的电力转换应用。此外,它的封装设计符合行业标准,可以轻松安装和散热。

    应用案例和使用建议


    9950GP-VB MOSFET 在多个应用中表现出色,例如在主侧开关中,它可以提供高效的能量转换。对于同步整流和LED背光的应用,这款MOSFET也能确保良好的效率和稳定性。为了优化其性能,在设计电路时应确保散热良好,并注意避免过载。

    兼容性和支持


    9950GP-VB MOSFET 采用TO-220AB封装,可方便地安装在标准散热片上。制造商提供全面的技术支持,包括应用指南和技术文档,以帮助用户更好地利用该产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:MOSFET过热怎么办?
    - 解决办法:确保散热良好,增加散热片面积或使用散热风扇。也可以降低电路的工作频率或减小负载。
    2. 问题:MOSFET击穿电压不足怎么办?
    - 解决办法:检查电路中的电压波动,确保电压不超过额定值。如果电压波动较大,可以考虑增加电压调节器或稳压器。

    总结和推荐


    9950GP-VB N-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的产品,适用于多种电力转换应用。它的低导通电阻和优良的电气特性使其在各种应用中都能发挥出色的表现。我们强烈推荐使用此产品,特别是在需要高效能和高可靠性的场合。如果您有任何疑问或需要技术支持,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

9950GP-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 80V
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 100A
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,9mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.7V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

9950GP-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

9950GP-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 9950GP-VB 9950GP-VB数据手册

9950GP-VB封装设计

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