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P60NF03L-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单通道N沟道场效应晶体管(Single N),采用Trench工艺制造。它的主要参数包括:最大漏极-源极电压(VDS)为30V,最大栅极-源极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V,以及在不同栅极-源极电压下的导通电阻等。该器件采用TO220封装,适用于各种应用场合。
供应商型号: P60NF03L-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) P60NF03L-VB

P60NF03L-VB概述

    N-Channel 30V MOSFET技术手册概述

    产品简介


    N-Channel 30V MOSFET(P60NF03L)是一款由VBsemi制造的高性能功率场效应晶体管(Power MOSFET)。这款MOSFET具有多种功能,包括低热阻封装、沟槽式FET技术和全面的测试认证。它主要应用于电源管理和电机控制等领域,是电力电子系统中不可或缺的组件。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 30V
    - 漏极连续电流 \( ID \): 70A
    - 最大功率耗散 \( PD \): 71W(在25℃时)
    - 电阻参数
    - 在 \( V{GS} = 10V \) 时,漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \):
    - \( ID = 20A \) 时:0.007Ω
    - \( ID = 20A \),\( TJ = 125^{\circ}C \) 时:0.010Ω
    - \( ID = 20A \),\( TJ = 175^{\circ}C \) 时:0.014Ω
    - 在 \( V{GS} = 4.5V \) 时,漏源导通电阻 \( R{DS(on)} \): 0.010Ω
    - 温度参数
    - 最高结温和存储温度范围 \( T{J}, T{stg} \): -55至+175℃
    - 热阻参数
    - 结到空气热阻 \( R{thJA} \): 50℃/W
    - 结到外壳热阻 \( R{thJC} \): 2.1℃/W

    产品特点和优势


    - 高效能:采用沟槽式FET技术,确保了高效的电能转换。
    - 可靠性高:100%的Rg和UIS测试保证了产品的高可靠性和耐用性。
    - 低热阻:采用低热阻封装,适用于需要高效散热的应用场合。
    - 广泛的温度适应性:能够在极端温度下稳定工作,具有很高的环境适应能力。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛用于电源管理、电机控制和驱动电路中。
    - 使用建议:
    - 确保在高温环境下使用时,采取适当的散热措施以避免过热损坏。
    - 注意脉冲工作模式下的电流限制,防止超过最大瞬态电流值。
    - 长期工作在高功率状态时,监控结温变化,必要时增加散热措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数标准的TO-220AB封装引脚布局兼容,便于集成到现有设计中。
    - 支持和维护:制造商提供详尽的技术文档和客户支持,以便用户在使用过程中解决问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 脉冲电流工作时结温过高。
    - 解决方案: 使用外部散热器或者增加散热片面积来提高散热效率。

    - 问题2: 在低温环境下性能下降。
    - 解决方案: 确保设备在工作温度范围内运行,考虑增加预热措施。

    总结和推荐


    P60NF03L是一款高性能的N-Channel 30V MOSFET,具有出色的性能和可靠性。适用于各种高要求的电力电子应用。尽管价格较高,但其优越的性能和广泛的温度适应性使其成为电源管理和电机控制的理想选择。总体而言,强烈推荐使用此款MOSFET。

P60NF03L-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 70A
Rds(On)-漏源导通电阻 7mΩ@10V,10mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

P60NF03L-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

P60NF03L-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 P60NF03L-VB P60NF03L-VB数据手册

P60NF03L-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.7504
100+ ¥ 1.6207
500+ ¥ 1.5558
1000+ ¥ 1.4911
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型号 价格(含增值税)
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