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NTD5407NG-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,50A,RDS(ON),12mΩ@10V,14mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.78Vth(V) 封装:TO252 由于其中等漏极电流和适中的漏极-源极电阻,可用于设计各种电源模块,如直流-直流(DC-DC)转换器和交流-直流(AC-DC)转换器。
供应商型号: NTD5407NG-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NTD5407NG-VB

NTD5407NG-VB概述


    产品简介


    N-Channel 40-V MOSFET (NTD5407NG)
    NTD5407NG 是一款高性能的N沟道40伏特MOSFET,采用先进的TrenchFET®技术制造。这种MOSFET广泛应用于服务器电源管理、直流到直流转换以及各种电源系统中的二极管应用。这款产品已经通过了100% Rg 和 UIS 测试,并符合RoHS指令2011/65/EU,保证了环保和可靠性。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDS):40 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175 °C):25.8 A(TA = 25 °C)至15.8 A(TA = 70 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):200 A
    - 最大功率耗散 (TC = 25 °C):100 W(TA = 25 °C)至75 W(TA = 70 °C)
    - 电气特性
    - 开启电阻 (RDS(on)):0.013 Ω(VGS = 10 V, ID = 38.8 A)至0.014 Ω(VGS = 4.5 V, ID = 37 A)
    - 总栅极电荷 (Qg):85 nC(VDS = 15 V, VGS = 10 V, ID = 38.8 A)至120 nC(VDS = 15 V, VGS = 4.5 V, ID = 28.8 A)
    - 输入电容 (Ciss):725 pF(VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz)
    - 热阻抗
    - 最大结到环境热阻 (RthJA):32 °C/W(≤ 10 秒)
    - 最大结到外壳稳态热阻 (RthJC):0.5 °C/W

    产品特点和优势


    NTD5407NG 拥有多项独特优势:
    - 低导通电阻:具有非常低的RDS(on),确保了高效的电力传输。
    - 高可靠性:100% Rg 和 UIS 测试确保产品的长期稳定性和可靠性。
    - 环保设计:符合RoHS指令,适合环保需求。
    - 宽工作温度范围:可在-55 °C 到 175 °C 的温度范围内正常工作,适用于各种严苛环境。

    应用案例和使用建议


    NTD5407NG 在多个领域都有广泛应用,例如:
    - 服务器电源管理:用于服务器的电源分配和管理。
    - 直流到直流转换:适合用于DC/DC转换器中,提高能效。
    - 二极管应用:用于替代二极管,降低功耗。
    使用建议:
    - 确保散热良好,特别是高功率运行时,需考虑适当的散热措施以避免过热。
    - 根据负载情况合理选择驱动电阻,以优化开关速度和效率。

    兼容性和支持


    NTD5407NG 可与其他电子元器件良好兼容,适用于大多数主流电路板。制造商提供了详尽的技术文档和支持,包括安装指南、维修手册等。如有任何疑问,可随时联系技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    - 过热:检查散热片是否安装正确,确保散热良好。
    - 栅极振荡:检查驱动电路的设计,增加栅极电阻以减少振荡。
    解决方案:
    - 过热:添加额外的散热片或散热风扇,确保良好的空气流通。
    - 栅极振荡:调整栅极电阻,使其在1.4 Ω 至 2.1 Ω 之间。

    总结和推荐


    NTD5407NG 是一款高效、可靠的N沟道MOSFET,特别适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。其低导通电阻、高可靠性及宽温度适应性使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高性能电源管理的工程师而言,NTD5407NG 是一个值得推荐的产品。
    总的来说,NTD5407NG 在性能和可靠性方面表现出色,特别是在服务器电源管理和直流到直流转换等应用中具有显著优势。强烈推荐在这些应用中使用此产品。

NTD5407NG-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 50A
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,14mΩ@4.5V
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 40V
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.78V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTD5407NG-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NTD5407NG-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NTD5407NG-VB NTD5407NG-VB数据手册

NTD5407NG-VB封装设计

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