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FQB8N60CTM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有1100m?的导通电阻,能够承受最大10A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术,封装为TO263。
供应商型号: FQB8N60CTM-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQB8N60CTM-VB

FQB8N60CTM-VB概述

    FQB8N60CTM N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    FQB8N60CTM是一款N沟道功率MOSFET(漏极到源极),专为高电压转换而设计。它具有低导通电阻、低输入电容、超低栅极电荷等特性,适用于服务器、通信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域。此外,它还广泛应用于照明(如高强度放电灯(HID)和荧光灯镇流器)和工业设备。

    2. 技术参数


    以下是FQB8N60CTM的主要技术参数:
    | 参数 | 标称值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 \(V{DS}\) | 650 | V |
    | 栅源电压 \(V{GS}\) | ±30 | V |
    | 连续漏电流 (TJ = 150°C) A |
    | 最大脉冲漏电流 A |
    | 最大单脉冲雪崩能量 mJ |
    | 最大功耗 W |
    | 工作结温及存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |
    | 栅极-漏极电荷 \(Q{gd}\) | 22 | nC |
    | 总栅极电荷 \(Q{g}\) | 43 | nC |
    | 开启延迟时间 \(t{d(on)}\) | 13~25 | ns |
    | 上升时间 \(t{r}\) | 11~35 | ns |
    | 关断延迟时间 \(t{d(off)}\) | 81~90 | ns |
    | 下降时间 \(t{f}\) | 25~40 | ns |

    3. 产品特点和优势


    FQB8N60CTM的主要特点包括:
    - 低导通电阻:确保了低导通损耗,从而提高能效。
    - 低输入电容:减少了栅极驱动功率,提高了系统效率。
    - 超低栅极电荷:降低了开关损耗,有助于提高频率。
    - 雪崩耐量:能够在极端条件下稳定运行。
    这些特点使其在各种高电压应用中表现出色,特别适合于需要高效率和高可靠性的场合。

    4. 应用案例和使用建议


    FQB8N60CTM的典型应用包括服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源、照明系统(如HID和荧光灯镇流器)、工业控制等。
    使用建议:
    - 在设计开关电源时,考虑器件的热管理,确保散热良好。
    - 使用高质量的PCB布局,以减少寄生电感。
    - 确保栅极驱动电路的稳定性,避免振荡现象。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:FQB8N60CTM可以与其他标准的N沟道功率MOSFET一样使用,兼容大多数电源设计。
    - 支持和服务:VBsemi提供详尽的技术文档和支持,包括产品规格书、应用指南和技术支持热线。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:器件在高频切换下出现过热。
    - 解决办法:优化散热设计,增加散热片面积或采用水冷散热方式。

    - 问题:栅极驱动电压不稳定导致开启关断不一致。
    - 解决办法:确保栅极驱动电路的设计符合要求,可添加去耦电容以稳定电源电压。

    7. 总结和推荐


    FQB8N60CTM是一款高性能的N沟道功率MOSFET,具备优良的电气特性和可靠的性能。它在各种高电压应用中表现出色,特别适合需要高效率和高可靠性的场合。强烈推荐使用FQB8N60CTM进行电源设计和开发,它将为您的系统带来卓越的性能表现。

FQB8N60CTM-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
配置 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQB8N60CTM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQB8N60CTM-VB数据手册

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FQB8N60CTM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
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