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IRFR320TRPBF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: 14M-IRFR320TRPBF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR320TRPBF-VB

IRFR320TRPBF-VB概述


    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)
    Power MOSFET是一种广泛应用在电力电子设备中的电子元器件。它主要用于电源转换、电机控制、照明系统、可再生能源系统及各种高频开关电路中。IRFR320TRPBF作为一款高性能的N沟道MOSFET,具有低导通电阻、高耐压能力和快速开关速度等特点,使其成为高性能应用的理想选择。

    技术参数


    - VDS (最大漏源电压): 650 V
    - RDS(on) (导通电阻): 2.1 Ω (在VGS = 10 V时)
    - Qg (最大栅极电荷): 48 nC
    - Qgs (栅极到源极电荷): 12 nC
    - Qgd (栅极到漏极电荷): 19 nC
    - 连续漏极电流 (ID): 4.2 A (在TC = 25 °C时),18 A (脉冲)
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 325 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 4 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 6 mJ
    - 最大功率耗散 (PD): 60 W (在TC = 25 °C时)
    - 峰值二极管恢复电压 (dV/dt): 2.8 V/ns
    - 存储和操作温度范围: -55至+150 °C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 低栅极电荷降低了驱动要求,简化了电路设计。
    - 增强型栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性: 提升了产品的耐用性和可靠性。
    - 全规格电容和雪崩电压/电流: 这些特性使得产品在不同应用条件下表现出色。
    - 符合RoHS标准: 确保环保和对人体无害。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    IRFR320TRPBF可以应用于多种电子设备,例如:开关电源、电池充电器、DC-DC转换器等。具体的应用场景如下:
    - 直流电机驱动:由于其高效能和低功耗,特别适用于需要频繁开关的应用场合。
    - 光伏逆变器:在太阳能发电系统中,用于将光伏板产生的直流电转换为交流电输出。
    - LED驱动:由于低导通电阻和高耐压能力,适合用于高亮度LED照明系统。
    使用建议
    - 在高频应用中,注意选择合适的栅极电阻以减少开关损耗。
    - 在高温环境下使用时,应考虑散热措施以确保最佳性能。
    - 对于特定应用,如电池充电器或逆变器,建议进行详细的电路设计和模拟测试。

    兼容性和支持


    - IRFR320TRPBF可与市场上广泛使用的其他电子元件和设备兼容。
    - 厂商提供详细的技术支持和维护服务,包括安装指南、技术文档和售后咨询。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 检查散热措施是否到位,适当降低负载 |
    | 开关频率过高 | 调整驱动电路参数,降低栅极电荷 |
    | 雪崩能量不足 | 检查应用条件,确认是否超出额定值 |

    总结和推荐


    IRFR320TRPBF是一款高性能的N沟道MOSFET,具备低导通电阻、高耐压能力和快速开关速度等优点。其独特的特点使其非常适合应用于电源转换和高频开关电路中。强烈推荐此产品给寻求高效能、可靠性的电力电子设计工程师。

IRFR320TRPBF-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
Rds(On)-漏源导通电阻 2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR320TRPBF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR320TRPBF-VB数据手册

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IRFR320TRPBF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ ¥ 2.649
30+ ¥ 2.3642
100+ ¥ 1.7715
2500+ ¥ 1.7053
7500+ ¥ 1.6556
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