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UT2311G-AE3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nVBsemi的Single P系列产品是一种单路P沟道场效应晶体管(MOSFET),是一种灵活多用、性能稳定的电子元件,适用于各种不同的领域和模块。\nVDS(漏极-源极电压)为-30V,VGS(栅极-源极电压)范围为±20V,阈值电压(Vth)为-1.7V。在VGS=4.5V时的导通电阻为54mΩ,在VGS=10V时为46mΩ,最大漏极电流(ID)为-5.6A(负数表示为P沟道器件),这些MOSFET采用Trench技术制造,封装形式为SOT23-3。
供应商型号: UT2311G-AE3-R-VB SOT23-3
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UT2311G-AE3-R-VB

UT2311G-AE3-R-VB概述


    产品简介


    UT2311G-AE3-R 是一款 P 通道 30 V MOSFET,采用了 TrenchFET® 技术。这种器件主要用于移动计算领域的负载开关、笔记本适配器开关及直流/直流转换器。TrenchFET® 结构使得这款 MOSFET 在各种应用中具有出色的性能表现。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):30 V
    - 最大连续漏极电流 (ID):25 °C时为5.6 A,70 °C时为5.1 A
    - 脉冲漏极电流 (IDM):18 A(100 µs 脉冲)
    - 最大功率耗散 (PD):2.5 W(25 °C),1.6 W(70 °C)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg):-55 °C 至 150 °C
    - 最大结壳热阻 (RthJA):75-100 °C/W(最多5秒)
    - 典型门电阻 (Rg):1.5 Ω(1 MHz)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:采用100% Rg测试,确保每颗器件的性能一致性。
    2. 卓越的热管理:高耐热性能,确保在高温环境下仍能稳定工作。
    3. 快速响应:低门电荷和短上升时间,使其非常适合高频开关应用。
    4. 多功能应用:适用于多种电子设备中的负载开关、适配器和直流转换器。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 笔记本电脑电源管理系统:UT2311G-AE3-R 可以用作笔记本适配器开关,提供可靠的电力管理。
    - 移动设备:如智能手机和平板电脑中的电源管理模块,可以提高系统的整体效率。
    使用建议
    - 确保散热良好,特别是在高电流条件下使用时,注意不要超过最大功耗限制。
    - 在选择外围电路参数时,如门电阻 (Rg),应考虑器件的实际运行条件,以避免过高的开关损耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:UT2311G-AE3-R 具有良好的通用性,适用于多种 PCB 设计,便于集成到现有系统中。
    - 支持:制造商提供全面的技术支持,包括详细的安装指南和售后维护服务。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高频率切换下,开关损耗增加。
    - 解决方案:减小门电阻 (Rg) 并优化外围电路设计,以降低开关损耗。

    2. 问题:设备在高温环境下表现不佳。
    - 解决方案:确保良好的散热措施,例如使用额外的散热片或优化 PCB 设计。

    总结和推荐


    综上所述,UT2311G-AE3-R 是一款高性能的 P 通道 MOSFET,适用于多种电子设备中的关键部件。它具备卓越的可靠性和热管理能力,能够应对各种极端工作条件。对于需要高可靠性和高效率的应用场合,如笔记本电脑电源管理和移动设备中的电源管理系统,UT2311G-AE3-R 是一个值得推荐的选择。

UT2311G-AE3-R-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 5.6A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 47mΩ@10V,56mΩ@4.5V
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V
栅极电荷 -
通用封装 SOT-3
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UT2311G-AE3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UT2311G-AE3-R-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UT2311G-AE3-R-VB UT2311G-AE3-R-VB数据手册

UT2311G-AE3-R-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
80+ ¥ 0.3493
300+ ¥ 0.3234
500+ ¥ 0.3105
3000+ ¥ 0.2975
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