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FDS8672S-NL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n该产品为单体N型MOSFET,具有以下特性:\n- 最大漏极电压(VDS)为30V,适用于中等功率应用。\n- 最大门源电压(VGS)为±20V,兼容多种驱动电路。\n- 阈值电压(Vth)为1.7V,具有良好的开关特性。\n- 在VGS=4.5V时,导通电阻为5m?;在VGS=10V时,导通电阻为4m?,具有低导通电阻和低开关损耗。\n- 最大漏极电流(ID)为18A,可满足多种应用场景的电流需求。\n- 采用Trench工艺,具有优异的热特性和可靠性。\n- 封装为SOP8,便于PCB布局和焊接。
供应商型号: FDS8672S-NL-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDS8672S-NL-VB

FDS8672S-NL-VB概述

    FDS8672S-NL N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    FDS8672S-NL 是一款适用于高边同步整流的 N-Channel 30-V (D-S) MOSFET,特别设计用于笔记本电脑 CPU 核心中的高边开关。这款器件具有多种优异特性,如低导通电阻(RDS(on))和高速开关性能,非常适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 | VDS | 30 | - | - | V |
    | 门源电压 | VGS | ± 20 | - | - | V |
    | 连续漏电流 | ID | 18 | - | - | A |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | 0.004(VGS=10V) | - | 0.005(VGS=4.5V) | Ω |
    | 门极电荷 | Qg | - | 6.8 | 23 | nC |
    | 额定功率耗散 | PD | - | 4.5 | - | W |
    此外,该器件还具备以下热阻特性:
    - 最大结至环境的热阻(稳态):RthJA 为 38°C/W
    - 最大结至脚(漏极)的热阻(稳态):RthJF 为 22°C/W

    产品特点和优势


    1. 高效率:采用 TrenchFET® 技术,确保较低的 RDS(on),使得整体功耗显著降低。
    2. 可靠性测试:100% 的 Rg 和 UIS 测试,保证产品的长期稳定性。
    3. 宽工作温度范围:-55°C 至 +150°C 的工作温度范围,适应各种严苛的工作环境。
    4. 低栅极泄漏电流:保证在高电压环境下也能稳定运行。
    5. 兼容卤素-free 设计:符合环保要求,有利于减少环境污染。

    应用案例和使用建议


    应用案例:FDS8672S-NL 广泛应用于笔记本电脑 CPU 核心中的高边开关,以实现高效的电源管理。它也适用于其他需要高效率和快速响应的应用场合,例如工业自动化控制系统。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热,避免热过载导致的器件损坏。
    - 确保 PCB 布局合理,特别是电源线和接地线的设计,以减少寄生电感和电容的影响。
    - 考虑使用散热片或散热器来增强散热效果,特别是在高功率应用中。

    兼容性和支持


    兼容性:FDS8672S-NL 可与标准的 SO-8 封装的电路板兼容,适用于大多数现代电路设计。
    支持信息:VBsemi 提供详尽的技术支持文档和产品手册,帮助用户了解产品的详细特性和使用方法。此外,公司提供专业的技术支持团队,以解答用户在应用过程中可能遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:器件过热
    - 解决办法:检查散热措施是否到位,增加散热片或散热器的使用。

    2. 问题:开关速度慢
    - 解决办法:优化电路设计,减少栅极电容,并选择合适的驱动电路。

    3. 问题:漏电流异常
    - 解决办法:检查门源电压是否在正常范围内,确保器件在安全工作区运行。

    总结和推荐


    总体而言,FDS8672S-NL 是一款在笔记本电脑 CPU 核心高边开关等应用中表现出色的高性能 MOSFET。其低导通电阻、快速开关特性和出色的热稳定性使其成为许多高性能应用的理想选择。考虑到其卓越的可靠性和广泛应用的兼容性,我们强烈推荐在相关应用中使用这款产品。

FDS8672S-NL-VB参数

参数
配置 -
Id-连续漏极电流 18A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@10V,6.5mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.72V
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FDS8672S-NL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDS8672S-NL-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDS8672S-NL-VB FDS8672S-NL-VB数据手册

FDS8672S-NL-VB封装设计

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Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
20+ ¥ 1.6525
100+ ¥ 1.5301
500+ ¥ 1.4688
4000+ ¥ 1.4077
库存: 400000
起订量: 20 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:20
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型号 价格(含增值税)
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