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J595-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J595-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J595-VB

J595-VB概述

    P-Channel 60-V MOSFET 技术手册



    产品简介



    本手册详细介绍的是VBsemi公司生产的P-Channel 60-V MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这款MOSFET属于P沟道类型的电子元器件,具有出色的电气特性和可靠性。它主要应用于负载开关等场合,可以作为开关电源中的关键组件,提供高效、低损耗的电能转换。


    技术参数



    - 电压范围:最大电压 \(V_{DSS}\) 为 60V。
    - 漏极电流:连续漏极电流 \(I_D\) 在环境温度下为30A,在100°C环境下降为25A;脉冲漏极电流 \(I_{DM}\) 可达-30A。
    - 栅源电压:绝对最大值为 \(\pm 20\) V。
    - 静态参数:
    - 导通电阻 \(r_{DS(on)}\):在 \(V_{GS} = -10V, I_D = -5A\) 时为 0.061Ω(典型值)。
    - 在高温下的最大导通电阻 \(r_{DS(on)}\) 为 0.150Ω。
    - 输入电容 \(C_{iss}\):在 \(V_{DS} = -25V, V_{GS} = 0V, f = 1MHz\) 下为 1000pF。
    - 输出电容 \(C_{oss}\):120pF。
    - 逆向传输电容 \(C_{rss}\):100pF。
    - 总栅极电荷 \(Q_g\):在 \(V_{DS} = -30V, V_{GS} = -10V, I_D = -8.4A\) 下为 10nC。
    - 动态参数:
    - 开启延迟时间 \(t_{d(on)}\):6ns。
    - 上升时间 \(t_r\):15ns。
    - 关闭延迟时间 \(t_{d(off)}\):16ns。
    - 下降时间 \(t_f\):8ns。


    产品特点和优势



    - TrenchFET® Power MOSFET:采用先进的TrenchFET技术,确保高效的功率转换。
    - 高可靠性:通过100%UIS测试验证,保证在极端条件下的可靠性。
    - 超低导通电阻:典型的导通电阻为0.061Ω,能够有效降低功率损耗。
    - 快速开关性能:低延迟时间和上升时间,适用于高速开关应用。


    应用案例和使用建议



    - 负载开关:这种MOSFET非常适合用于负载开关,例如电源管理系统中的关键组件。
    - 电路设计优化:为了实现最佳性能,建议在设计电路时将寄生电感和电容的影响降至最低,以减少不必要的功耗。
    - 散热管理:由于其功率密度较高,需要良好的散热管理。建议使用大面积散热片或者散热管来提高散热效率。


    兼容性和支持



    - 兼容性:该产品适用于大多数表面贴装PCB布局,能够与标准的电路板兼容。
    - 技术支持:VBsemi公司提供了详尽的技术文档和支持服务,包括在线支持和电话咨询服务。


    常见问题与解决方案



    - 问:MOSFET在过载条件下是否会损坏?
    - 答:在过载条件下,应该避免超过额定电流和电压,以防止损坏。可以通过设置适当的限流和保护电路来避免这种情况。
    - 问:如何正确选择MOSFET的工作温度范围?
    - 答:根据手册中的建议,选择适合的工作温度范围,并在实际应用中进行有效的温度管理。


    总结和推荐



    该P-Channel 60-V MOSFET具有出色的性能和可靠度,适合应用于多种电子设备中,特别是需要高效率和低损耗的场合。建议在购买前仔细阅读手册,并根据具体应用要求进行选择。总体而言,这是一款值得推荐的产品。

J595-VB参数

参数
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 38A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J595-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J595-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J595-VB J595-VB数据手册

J595-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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