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J18TL-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: J18TL-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J18TL-VB

J18TL-VB概述

    P-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    本产品为一款 P 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为 J18TL,适用于多种电子设备中的负载开关应用。P 沟道 MOSFET 通常用作开关电路中的控制元件,通过调节栅极电压来控制漏极和源极之间的电流流动。其主要功能包括电流放大和信号放大,广泛应用于电源管理、电机驱动及逆变器等领域。

    技术参数


    以下是本产品的主要技术规格和技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 管壳温度范围 | TJ, Tstg | -55 175 | °C |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS -60 | V |
    | 门限电压 | VGS(th) -1.0 | -3.0 | V |
    | 零门电压漏电流 | IDSS -1 | V |
    | 门体漏电流 | IGSS ±100 nA |
    | 导通电阻(VGS = -10V)| rDS(on) 0.061 Ω |
    | 门电荷 | Qg 10 nC |
    | 源漏二极管正向电压 | VSD | -0.9 -1.3 | V |

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 功率 MOSFET 技术:采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高效率的优点。
    - 100% UIS 测试:确保产品质量和可靠性,符合严格的测试标准。
    - 低静态功耗:导通电阻极低,可实现高效能和低能耗的应用。

    应用案例和使用建议


    该产品适用于多种负载开关应用,如电源管理、电机驱动和逆变器等。建议在使用过程中注意散热设计,以保证产品的长期稳定运行。具体使用时可根据实际应用需求调整门极电压和漏极电流,以达到最佳性能。

    兼容性和支持


    该产品采用 TO-252 封装,适用于表面贴装工艺。与市面上主流的 PCB 板材和焊锡膏兼容,能够轻松集成到现有电路中。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品选型指导、应用技术支持和故障排除等。

    常见问题与解决方案


    - 问题:漏电流过大
    - 解决方案:检查门极和源极之间的接线是否正确连接,确认没有短路或接触不良的情况。
    - 问题:导通电阻偏高
    - 解决方案:检查工作环境温度,过高温度可能导致电阻增大。如有必要,考虑增加散热措施。
    - 问题:输出不稳定
    - 解决方案:确保输入电压稳定,避免电压波动导致输出不稳。

    总结和推荐


    综上所述,J18TL P 沟道 MOSFET 在负载开关应用中表现出色,具备低导通电阻、高可靠性和易于集成的特点。推荐在电源管理和电机驱动等场合使用此产品。厂商提供的全面技术支持和服务将进一步保障用户的使用体验和产品寿命。
    以上内容基于您提供的 PDF 文件中的数据进行了详细的整理和解析,希望能为您提供有价值的信息。如需进一步了解,请联系台湾 VBsemi 客户服务热线:400-655-8788。

J18TL-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 38A
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J18TL-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J18TL-VB数据手册

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J18TL-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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起订量: 15 增量: 2500
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