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4N60L-TF3-T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V) 一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: 4N60L-TF3-T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N60L-TF3-T-VB

4N60L-TF3-T-VB概述


    产品简介


    产品名称: 4N60L-TF3-T-VB
    产品类型: N沟道650V功率MOSFET
    主要功能: 高效驱动,低栅极电荷,增强的栅极耐受性
    应用领域: 电源管理、逆变器、电机驱动、照明控制等领域

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS): 650 V
    - 栅源电压 (VGS): ±30 V
    - 连续漏电流 (ID): 3.8 A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏电流 (IDM): 18 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 325 mJ
    - 重复雪崩电流 (IAR): 4 A
    - 重复雪崩能量 (EAR): 6 mJ
    - 最大功耗 (PD): 30 W (TC = 25°C)
    - 热阻至环境 (RthJA): 65 °C/W
    - 输入电容 (Ciss): 最大值未指定
    - 输出电容 (Coss): 最大值未指定
    - 反向转移电容 (Crss): 最大值未指定
    - 总栅极电荷 (Qg): 48 nC
    - 栅源电荷 (Qgs): 12 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 19 nC
    - 导通电阻 (RDS(on)): 2.5 Ω (VGS = 10 V)
    - 门限电压 (VGS(th)): 2.0 V 至 4.0 V
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    - 低栅极电荷: 低栅极电荷(Qg)使得驱动要求简单,有助于提高能效。
    - 增强的栅极耐受性: 改进了栅极、雪崩和动态dv/dt的坚固性,延长了使用寿命。
    - 全面的电容特性: 该产品在不同电压下的电容特性经过完全表征,确保其在各种应用场景中的可靠性。
    - 符合RoHS标准: 该产品符合欧盟RoHS指令的要求,无有害物质。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在电源转换器中作为开关管,用于调节和控制电源输出。
    - 用于电机驱动系统中,提供高效的驱动和保护。
    - 在照明控制系统中,用于控制LED灯条和其他灯具。
    使用建议:
    - 散热设计: 由于高功耗,需要良好的散热设计以保证正常运行。
    - 驱动电路: 使用适当的驱动电路可以减少开关损耗并提高效率。
    - 电路布局: 减少寄生电感和电容,有助于减少噪声和提高稳定性。

    兼容性和支持


    该产品与大多数常用的电子元器件兼容。制造商提供了详细的安装指南和技术支持,确保用户能够正确安装和使用产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 设备过热
    - 解决方案: 检查散热系统是否工作正常,调整负载电流或更换更大散热片。
    2. 问题: 驱动信号不稳定
    - 解决方案: 确保驱动电路和电源稳定,检查连接线是否接触良好。
    3. 问题: 电流波动
    - 解决方案: 调整负载和电源,检查电路是否设计合理。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: 低栅极电荷、高可靠性、宽工作温度范围。
    - 缺点: 需要适当的散热设计。
    推荐使用:
    该产品适用于多种工业和消费电子应用,尤其是在需要高效、可靠开关的应用场合。建议在使用前详细阅读技术手册并进行必要的散热和驱动电路设计。

    通过上述详细的技术手册内容提取和分析,4N60L-TF3-T-VB 是一款高性能的N沟道650V功率MOSFET,在电源管理和电机驱动等领域具有广泛的应用前景。

4N60L-TF3-T-VB参数

参数
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
通道数量 -
配置 -
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 4A
Vds-漏源极击穿电压 650V
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

4N60L-TF3-T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N60L-TF3-T-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N60L-TF3-T-VB 4N60L-TF3-T-VB数据手册

4N60L-TF3-T-VB封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
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型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
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06N06L ¥ 0.253
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12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
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15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336