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WFP18N20-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,200V,30A,RDS(ON),110mΩ@10V,125mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2~3Vth(V) 封装:TO220适用于各种电源管理和功率控制应用。其高额定漏极-源极电压、低阈值电压和高导通电流使其在多种场合下都表现出色。
供应商型号: WFP18N20-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFP18N20-VB

WFP18N20-VB概述

    # WFP18N20 N-Channel 200V MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    WFP18N20 是一款高性能的 N 沟道增强型 200V 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的 TrenchFET® 技术制造。其主要特点包括高可靠性、优异的热管理能力以及低导通电阻,适合多种电源管理和开关应用。
    主要功能与应用领域:
    - 主要功能:高效率电力转换,低导通损耗,高温度适应性。
    - 应用领域:适合作为初级侧开关,广泛应用于交流-直流(AC-DC)变换器、逆变器和开关电源等。

    技术参数


    以下是 WFP18N20 的关键技术规格:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 (Min.) | 典型值 (Typ.) | 最大值 (Max.) | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 200 | - | V |
    | 栅源开启电压 | VGS(th) | 1 | - | - | V |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | - | 1 | 50 (175°C) | µA |
    | 导通状态漏源电阻 | RDS(on) | - | 0.070 (4.5V) | 0.130 (175°C) | Ω |
    | 栅极电荷总量 | Qg | 34 | - | 51 | nC |
    | 工作温度范围 | TJ | -55 | - | 175 | °C |
    其它关键参数还包括:最大脉冲漏电流 IDM=70A,最高耗散功率 PD=126W,在 25°C 下典型热阻 RthJA=15°C/W。

    产品特点和优势


    独特功能:
    - TrenchFET® 技术:降低导通电阻的同时提升开关速度。
    - 高耐温能力:能够在高达 175°C 的工作温度下稳定运行,特别适用于恶劣环境下的工业应用。
    - RoHS 合规:符合环保标准,适合绿色电子产品设计。
    市场竞争力:
    - 优异的开关性能使它在高频应用中表现卓越。
    - 极低的导通电阻减少了功耗,提升了能效比。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    1. AC-DC 转换器:利用其高效低损耗特性,用于工业和家用电器的电源适配器。
    2. 逆变器:适合中小型功率逆变器的设计,尤其是在太阳能发电系统中作为开关元件。
    使用建议
    - 确保良好的散热设计以避免因高温导致的性能下降。
    - 电路设计时,需注意漏极与源极的电压峰值不得超过 200V。

    兼容性和支持


    WFP18N20 可直接替换同类的 TO-220 封装器件,适用于标准 PCB 贴片焊接。VBsemi 提供详尽的技术支持和售后服务,服务热线为 400-655-8788,客户可随时咨询技术问题并获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 温度过高导致失效 | 改善散热措施,使用更大尺寸的散热片。 |
    | 开关频率不稳定 | 检查栅极驱动电路,确保电压波形无异常。 |
    | 导通电阻增大 | 检查连接点是否接触良好,必要时重新焊接。 |

    总结和推荐


    WFP18N20 是一款面向高性能应用的 N 沟道功率 MOSFET,其高效率、高可靠性和宽工作温度范围使其成为众多电子设备的理想选择。对于需要高功率密度、低功耗的应用场景,这款器件无疑是优选之一。推荐客户根据具体需求合理使用此器件,并结合良好的散热设计来最大化其性能优势。
    综上所述,强烈推荐使用 WFP18N20 MOSFET 用于各类高要求的电力电子系统中。

WFP18N20-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 30A
Rds(On)-漏源导通电阻 110mΩ@10V,125mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V~3V
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFP18N20-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFP18N20-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFP18N20-VB WFP18N20-VB数据手册

WFP18N20-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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