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NDD60N745U1T4G-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单极性 N 型功率场效应晶体管(MOSFET),额定电压高达650V,适用于高压应用场景。门源电压范围广泛(±30V),具有良好的电压容忍性。阈值电压较低(3.5V),有助于减少功率损耗。在VGS=10V时的漏极-源极电阻为700m?,提供可靠的导通特性。漏极电流为7A,适用于中等功率需求。采用SJ_Multi-EPI技术,具有优异的热稳定性和可靠性。封装为TO252,易于安装和散热。
供应商型号: NDD60N745U1T4G-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NDD60N745U1T4G-VB

NDD60N745U1T4G-VB概述

    NDD60N745U1T4G N-Channel MOSFET 技术手册

    产品简介


    NDD60N745U1T4G 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。这种器件在服务器、通信电源、开关模式电源、功率因数校正电源及照明等领域有着广泛的应用。其低导通电阻(RDS(on))和高能效使其成为高性能电源转换的理想选择。同时,它也适用于高强度放电灯(HID)和荧光灯照明等工业应用。

    技术参数


    - 工作电压:最大漏源电压(VDS)为 650V。
    - 静态参数:
    - 导通电阻(RDS(on)):在 VGS=10V 和 25°C 时,最大值为 0.7Ω。
    - 输入电容(Ciss):最大值为 147pF。
    - 输出电容(Coss):最大值为 55pF。
    - 反向传输电容(Crss):最大值为 27pF。
    - 门极电荷(Qg):最大值为 10nC。
    - 动态参数:
    - 开启延迟时间(td(on)):典型值为 10ns。
    - 关闭延迟时间(td(off)):典型值为 25ns。
    - 翻转时间(tf):典型值为 2.0ns。
    - 门输入电阻(Rg):典型值为 3.5Ω。
    - 绝对最大额定值:
    - 漏源电压(VDS):650V。
    - 门源电压(VGS):±30V。
    - 持续漏极电流(ID):在 25°C 时为 8A,在 100°C 时为 4A。
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):最大值为 97mJ。
    - 最大功耗(PD):94W。
    - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C。

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻:NDD60N745U1T4G 的低 RDS(on) 特性显著减少了传导损耗,提高了整体效率。
    2. 低输入电容:其输入电容(Ciss)低,有助于减少驱动损耗,适合高速开关应用。
    3. 超低栅极电荷:总栅极电荷(Qg)低,降低了开关过程中的能耗,提升了整体性能。
    4. 重复雪崩能量:其 EAS 额定值达到 97mJ,确保了其在极端条件下的稳定性和可靠性。
    5. 兼容多种封装:提供 O-220AB、O-252、O-251 等多种封装形式,方便各种电路设计需求。

    应用案例和使用建议


    1. 开关模式电源:在 SMPS 中使用时,其低导通电阻可以显著降低损耗,提高电源效率。建议在使用时优化电路布局,降低杂散电感和泄露电感的影响。
    2. 高能效照明系统:在 HID 和荧光灯照明系统中,该器件可以显著提升灯具的能效和稳定性。建议优化电源设计,合理控制电源纹波。
    3. 工业应用:在工业自动化领域,该器件可应用于电机控制和电源转换系统,提高系统的可靠性和能效。建议在使用过程中注意散热设计,保证器件工作温度在安全范围内。

    兼容性和支持


    NDD60N745U1T4G 支持多种标准封装形式,如 O-220AB、O-252 和 O-251,可以方便地与其他标准组件兼容。VBsemi 提供全面的技术支持和客户服务,确保用户在应用中能够得到及时有效的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:开机时出现不稳定现象。
    - 解决方案:检查电路设计是否正确,确认栅极电阻(Rg)选择适当,同时确保 PCB 布局符合推荐要求。
    2. 问题:温度过高导致关机。
    - 解决方案:加强散热设计,避免长时间过载运行。必要时增加外部散热器,以保持器件温度在安全范围内。
    3. 问题:启动时电流过大。
    - 解决方案:调整启动电路,确保启动过程平稳,减少瞬态冲击。

    总结和推荐


    NDD60N745U1T4G 功率 MOSFET 在性能和可靠性方面表现出色,适用于多种高性能电源转换应用。其低导通电阻、低输入电容和高雪崩能量等级使它成为市场上同类产品的佼佼者。如果您正在寻找一种高效且可靠的解决方案来提升您的电源转换系统性能,NDD60N745U1T4G 将是一个理想的选择。强烈推荐在相关应用中使用该产品。

NDD60N745U1T4G-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 700mΩ@ 10V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 30V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

NDD60N745U1T4G-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NDD60N745U1T4G-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NDD60N745U1T4G-VB NDD60N745U1T4G-VB数据手册

NDD60N745U1T4G-VB封装设计

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100+ ¥ 3.5991
500+ ¥ 3.3111
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