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IRF3805S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,60V,270A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: IRF3805S-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRF3805S-VB

IRF3805S-VB概述

    IRF3805S-VB N-Channel 60 V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    IRF3805S-VB 是一款由VBsemi公司生产的N-Channel 60V(漏极到源极)功率MOSFET。作为TrenchFET® 功率MOSFET家族的一员,它具有高效率、低热阻封装及高可靠性等显著特点,适用于多种电子应用场合,如开关电源、电机驱动、照明系统和通信设备等。

    技术参数


    以下是IRF3805S-VB的主要技术参数摘要:
    - 最大漏极-源极电压 (VDS):60V
    - 栅极-源极电压 (VGS):±20V
    - 连续漏极电流 (ID):270A (TC=25°C),600A (脉冲)
    - 最大功耗 (PD):375W (TC=25°C),125W (TC=125°C)
    - 栅极电阻 (Rg):0.8Ω 至 2.6Ω
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 (td(on)):20ns 至 25ns
    - 上升时间 (tr):15ns 至 40ns
    - 关闭延迟时间 (td(off)):-65ns 至 100ns
    - 下降时间 (tf):12ns 至 20ns
    这些技术参数确保了IRF3805S-VB在恶劣工作条件下的可靠性和高效性能。

    产品特点和优势


    - 低热阻封装:采用优化的封装设计,降低器件的热阻,提升散热性能,延长使用寿命。
    - 高可靠性和稳定性:所有产品均经过严格的UIS和Rg测试,确保长期稳定运行。
    - 出色的动态特性:优秀的开关速度和较低的栅极电荷,使得其在高频应用中表现优异。

    应用案例和使用建议


    IRF3805S-VB MOSFET适用于各种高压高电流的电路设计,例如:
    - 开关电源:可作为初级侧开关管,提高电源转换效率。
    - 电机驱动:适用于电动机的启动和停止控制,提供平稳的电流调节。
    - LED驱动:适用于需要高频率开关的LED驱动电路,实现精确的亮度控制。
    使用建议:
    - 布局优化:在PCB布局时应确保MOSFET的散热路径通畅,增加散热片或使用金属基板。
    - 选择合适的栅极驱动器:为避免过高的栅极振荡,选择合适的栅极驱动器以匹配器件的开关特性。

    兼容性和支持


    IRF3805S-VB MOSFET与市场上常见的电子元器件兼容良好,且制造商提供了详细的技术文档和客户支持服务。如有任何疑问或技术支持需求,可随时联系VBsemi的服务热线:400-655-8788。

    常见问题与解决方案


    - Q:栅极电压过高导致器件损坏?
    - A:确保栅极电压不超过±20V,避免超过最大绝对额定值。
    - Q:器件工作温度超出范围?
    - A:通过适当的散热措施(如散热片、金属基板)保持工作温度在-55°C至+175°C之间。
    - Q:电路震荡导致异常现象?
    - A:检查电路设计,适当添加RC网络或其他滤波元件来抑制高频振荡。

    总结和推荐


    综上所述,IRF3805S-VB N-Channel 60V MOSFET凭借其出色的性能、可靠性以及广泛的适用范围,在多种电子应用中表现出色。它特别适合用于需要高效率、大电流和良好散热性能的应用场合。推荐在相关项目中选用这款高性能的MOSFET器件。

IRF3805S-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 270A
配置 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.4mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 -
通道数量 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRF3805S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRF3805S-VB数据手册

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IRF3805S-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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500+ ¥ 5.5284
800+ ¥ 5.2981
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