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K2139TK5A60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,600V,8A,RDS(ON),780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220 适用于电源管理模块,如开关电源、电池充放电管理系统等,提供稳定、高效的电力控制和保护
供应商型号: K2139TK5A60-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2139TK5A60-VB

K2139TK5A60-VB概述


    产品简介


    K2139TK5A60-VB是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于多种电力转换和控制应用。这款器件具备低栅极电荷(Qg)特性,简化了驱动要求,并具有改进的栅极耐受性、雪崩耐受性和动态dV/dt耐受性。这些特性使得它在开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)和其他高功率开关应用中表现出色。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源击穿电压(VDS):600V
    - 零栅极电压漏电流(IDSS):最大25μA
    - 栅源阈值电压(VGS(th)):2.0~4.0V
    - 通态电阻(RDS(on)):典型值0.780Ω(在VGS=10V时)
    - 栅极输入电阻(Rg):0.5~3.2Ω
    - 最大栅极电荷(Qg):49nC
    - 最大重复雪崩能量(EAR):17mJ
    - 最大峰值二极管恢复电压(dV/dt):5.0V/ns
    - 其他参数
    - 绝对最大额定值:漏源电压(VDS)600V,栅源电压(VGS)±30V,连续漏极电流(ID):25°C时8.0A,100°C时5.8A
    - 热阻率:最大结到环境热阻(RthJA)为62°C/W

    产品特点和优势


    K2139TK5A60-VB的主要特点如下:
    - 低栅极电荷:简化了驱动要求,降低了开关损耗。
    - 高可靠性:增强了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。
    - 精确特性:完全标定的电容和雪崩电压、电流特性,保证了稳定可靠的操作。

    应用案例和使用建议


    K2139TK5A60-VB广泛应用于各种电力转换系统,如开关模式电源、不间断电源以及离线式SMPS拓扑(如主动钳位向前转换器)。实际使用中,需注意散热管理以防止过温损坏。
    - 使用建议:确保电路板设计具备良好的散热通道,并采用适当的驱动电路来降低栅极驱动损耗。此外,选择合适的封装尺寸和引脚配置,以确保电气连接的安全性和可靠性。

    兼容性和支持


    K2139TK5A60-VB可与大多数标准开关电源电路兼容。制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括详细的数据手册和技术指南。用户可以通过服务热线(400-655-8788)获取更多技术支持信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:驱动电压过高导致过热
    - 解决方案:调整驱动电路的输出电压,避免超过最大额定值。

    2. 问题:高频操作时噪声过大
    - 解决方案:使用屏蔽良好的电路布局,减少外部干扰的影响。
    3. 问题:启动时电流冲击过大
    - 解决方案:添加软启动电路,逐步提升输入电压,避免电流突变。

    总结和推荐


    K2139TK5A60-VB凭借其出色的电气特性和广泛应用范围,非常适合在高性能开关电源和电力转换系统中使用。它通过优化的驱动需求、高可靠性和稳定的电气特性,在市场上具有较强的竞争力。对于需要高效且可靠的电力转换解决方案的应用,强烈推荐使用K2139TK5A60-VB。

K2139TK5A60-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 8A
Rds(On)-漏源导通电阻 780mΩ@10V,1070mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 600V
配置 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2139TK5A60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2139TK5A60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2139TK5A60-VB K2139TK5A60-VB数据手册

K2139TK5A60-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 2.8788
500+ ¥ 2.7636
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