处理中...

首页  >  产品百科  >  AP4085I-VB

AP4085I-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,550V,18A,RDS(ON),260mΩ@10V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: AP4085I-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) AP4085I-VB

AP4085I-VB概述

    # AP4085I-VB 550V N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    AP4085I-VB 是一款高性能的 N-Channel 550V(漏源)功率 MOSFET。它适用于各种电源管理和工业应用,特别是在消费电子、服务器和电信电源供应系统、焊接、感应加热、电机驱动和电池充电器等领域。其设计旨在优化性能和效率,具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)以及快开关特性等优点。

    技术参数


    主要规格
    - 漏源电压(VDS): 550 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)): 0.26 Ω @ 10 V GS, 25 °C
    - 最大总栅极电荷(Qg max.): 150 nC
    - 最大门驱动电荷(Qgs): 12 nC
    - 栅极漏极电荷(Qgd): 25 nC
    绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDS): 550 V
    - 栅源电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏电流(ID): 18 A @ TC = 25 °C, 11 A @ TC = 100 °C
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 281 mJ
    - 最大功率耗散(PD): 60 W
    - 工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg): -55 °C 至 +150 °C
    动态特性
    - 输入电容(Ciss): 3094 pF
    - 输出电容(Coss): 152 pF
    - 反向传输电容(Crss): 13 pF
    - 总栅极电荷(Qg): 80-150 nC
    - 栅极到源极电荷(Qgs): 12 nC
    - 栅极到漏极电荷(Qgd): 25 nC
    阈值电压
    - 栅源阈值电压(VGS(th)): 2-4 V
    - 门级泄漏电流(IGSS): ±100 nA @ VGS = ±20 V
    导通电阻特性
    - 导通电阻(RDS(on)): 0.26 Ω @ 10 V GS, 25 °C
    - 线性导热系数: 2.2 W/°C

    产品特点和优势


    AP4085I-VB 具有以下几个显著的优势:
    - 低面积特有导通电阻(低 RDS(on)),有助于减少功耗。
    - 低输入电容(Ciss),降低开关损耗,提高工作效率。
    - 高体二极管坚固性,适用于重复性电压应力测试。
    - 快速开关时间,简化门级驱动电路,降低成本。
    - 低优值(FOM),优化了 RON 和 Qg 的平衡。
    - 简化的设计,易于集成和使用。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    - 消费电子(例如:液晶或等离子电视)
    - 服务器和电信电源供应系统(例如:SMPS)
    - 工业应用(例如:焊接、感应加热、电机驱动)
    - 电池充电器
    - 功率因数校正(PFC)
    使用建议
    - 为了确保最佳性能,在使用过程中应遵循制造商的建议,尤其是在温度控制方面。
    - 在高频率应用中,应注意选择合适的外部组件以优化性能。
    - 针对高功率应用,需保证足够的散热措施以防止过热。

    兼容性和支持


    - AP4085I-VB 与多种电子元件和设备兼容,适用于广泛的电源管理系统。
    - 制造商提供详尽的技术支持文档和客户服务热线(400-655-8788),帮助解决安装和使用过程中的任何问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 如何确保 AP4085I-VB 正常工作?
    - 解决办法: 确保按照数据手册中的要求进行正确的门驱动信号和电压设置。

    2. 问题: 在高功率应用中,如何有效管理发热?
    - 解决办法: 采用良好的散热设计,如增加散热片或使用液冷系统。
    3. 问题: 如何避免电磁干扰?
    - 解决办法: 通过合理布局电路板,减小寄生电感,并使用接地平面。

    总结和推荐


    AP4085I-VB 以其高效能和多功能性在市场上具有明显优势。其优越的低导通电阻、快速开关时间和简化设计使其成为各种电源管理和工业应用的理想选择。总体而言,我们强烈推荐这款产品用于需要高性能、可靠性和高效能的应用场合。

AP4085I-VB参数

参数
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 18A
Rds(On)-漏源导通电阻 260mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 550V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

AP4085I-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

AP4085I-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 AP4085I-VB AP4085I-VB数据手册

AP4085I-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 11.6609
100+ ¥ 10.7972
500+ ¥ 9.9334
1000+ ¥ 9.5015
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 116.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336