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KF5N50FSA-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: KF5N50FSA-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) KF5N50FSA-VB

KF5N50FSA-VB概述

    # KF5N50FSA N-Channel Power MOSFET 技术手册

    产品简介


    KF5N50FSA 是一款高性能 N 沟道功率 MOSFET,设计用于满足服务器、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路及照明系统等领域的高效率需求。该器件具有低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(Qg),能显著减少导通和开关损耗,从而提升整体系统效率。其应用广泛,包括但不限于高亮度放电灯(HID)和荧光灯照明系统的控制电路。
    主要功能
    - 高效率开关:适用于高频和快速开关应用。
    - 超低栅极电荷:降低驱动功耗。
    - 出色的雪崩耐受能力(UIS)。
    应用领域
    - 数据中心和服务器电源管理。
    - 工业自动化和电机驱动。
    - 电动汽车充电站。
    - 照明设备(如 HID 和荧光灯)。

    技术参数


    以下是 KF5N50FSA 的核心技术参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | ±30 V |
    | 栅漏电容 | Ciss 16 | pF |
    | 漏极电流(连续) | ID 45 | A |
    | 雪崩能量(单脉冲) | EAS | 97 mJ |
    | 最大功率耗散 | PD 180 | W |
    | 最大工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    | 有效输出电容(能量相关) | Co(er) | pF |
    | 开关延迟时间(开通) | td(on) | μs |

    产品特点和优势


    KF5N50FSA 提供了多项创新特性和竞争优势:
    1. 低导通电阻:典型值仅为 1 Ω,确保低功耗运行。
    2. 超低栅极电荷:典型值为 10 nC,降低了驱动电路的复杂度和能耗。
    3. 高可靠性:能够承受高达 97 mJ 的单脉冲雪崩能量,适合严苛工业环境。
    4. 优化热性能:最大结壳热阻 RthJC 仅为 0.6 °C/W,便于散热设计。

    应用案例和使用建议


    KF5N50FSA 常见的应用场景包括:
    - 开关模式电源:适合作为降压或升压转换器中的开关元件。
    - 荧光灯和 HID 照明:可高效控制灯具的启动和运行。
    - 电机驱动:提供高效的能量转换。
    使用建议
    1. 在高频率开关场景下,需注意选择合适的驱动电路以避免过大的开关损耗。
    2. 针对高温环境,应采取有效的散热措施,如加装散热片或风扇。

    兼容性和支持


    KF5N50FSA 具有良好的兼容性,可直接替代同类产品而无需更改 PCB 设计。厂商提供详尽的技术支持,包括免费样品申请和技术文档下载。若遇到问题,可通过服务热线 400-655-8788 联系技术支持团队。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 启动时无法正常工作 | 检查栅极驱动电压是否满足要求。 |
    | 温度过高 | 增加散热面积或改善空气流通。 |
    | 输出不稳定 | 核对负载是否匹配并调整电路参数。 |

    总结和推荐


    KF5N50FSA 以其卓越的性能和可靠的设计,在多个行业中展现出强大的竞争力。其低功耗、高效率和多功能性使其成为电源管理和工业控制领域的理想选择。强烈推荐此产品用于需要高性能和稳定性的应用场景。
    推荐指数:★★★★★
    如需进一步了解或订购,请访问官网 [www.VBsemi.com](http://www.VBsemi.com) 或联系服务热线 400-655-8788。

KF5N50FSA-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Id-连续漏极电流 7A
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通道数量 -
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

KF5N50FSA-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

KF5N50FSA-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 KF5N50FSA-VB KF5N50FSA-VB数据手册

KF5N50FSA-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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型号 价格(含增值税)
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