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4N03L02-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n30V,100A,RDS(ON),2mΩ@10V,3mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1.9Vth(V) 封装:TO252\n该产品是单N沟道MOSFET,用于需要高功率和高频率控制的场合,特别适用于要求高性能和低损耗的模块。
供应商型号: 4N03L02-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4N03L02-VB

4N03L02-VB概述


    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款高性能功率场效应晶体管(Power MOSFET),特别适用于高电流和低导通电阻的应用。该器件采用TrenchFET®技术制造,具有极低的导通电阻和较高的连续漏极电流能力。主要应用领域包括OR-ing电路、服务器以及DC/DC转换器。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 漏源电压 (VDS) | 30 | V |
    | 导通电阻 (RDS(on)) | 0.002 (VGS=10V), 0.00 (VGS=4.5V) | Ω |
    | 持续漏极电流 (ID) | 100 (TC=25°C), 80 (TC=70°C) | A |
    | 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 300 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 (EAS) | 94.8 | mJ |
    | 连续源漏二极管电流 (IS) | 90 (TC=25°C), 3.13 (TA=25°C) | A |
    | 最大功率耗散 (PD) | 235 (TC=25°C), 165 (TC=70°C) | W |
    | 热阻 (RthJA) | 32 (最大值) | °C/W |
    | 工作温度范围 (TJ, Tstg) | -55 to 175 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低导通电阻 (RDS(on)): 在VGS=10V时,RDS(on)仅为0.002Ω,显著降低功耗。
    2. 高电流能力: 能够处理高达100A的持续漏极电流,适合高电流应用。
    3. 可靠性测试: 所有产品都通过100%的Rg和UIS测试,确保产品可靠。
    4. 环保设计: 符合RoHS标准,无卤素,适用于现代电子产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - OR-ing电路: 在电源管理模块中,利用其高可靠性实现负载分配。
    - 服务器: 在服务器电源系统中,提供稳定的电流输出,提升系统效率。
    - DC/DC转换器: 在开关电源模块中,作为关键开关器件,提高转换效率。
    使用建议:
    - 散热管理: 由于其较高的功率耗散能力,需确保良好的散热措施以维持稳定运行。
    - 驱动电路设计: 针对不同的工作条件(如温度变化),优化驱动电路的设计以保持稳定的导通状态。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该器件可与多种驱动电路和电源管理系统兼容,确保在各种应用场景下的高效运行。
    支持:
    - 厂商提供详尽的技术支持,包括应用指南和常见问题解答,确保用户能够快速上手并解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题: 温度升高导致性能下降。
    - 解决方案: 使用散热片或散热风扇进行散热,确保器件在安全温度范围内工作。

    2. 问题: 功率耗散过大。
    - 解决方案: 选择合适的驱动电阻,减少开关损耗,并考虑增加散热措施。

    3. 问题: 驱动信号不稳定。
    - 解决方案: 使用稳压电源供电,并确保信号线路短且直接,减少信号干扰。

    总结和推荐


    综上所述,这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其低导通电阻、高电流能力和可靠的设计,在多个应用领域中表现出色。推荐在需要高效率和稳定性的电源管理系统中使用该产品,尤其是服务器和OR-ing电路等应用场景。如果您需要高性能的功率MOSFET,这款产品无疑是您的最佳选择。

4N03L02-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,3mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.9V
Id-连续漏极电流 100A
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4N03L02-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4N03L02-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4N03L02-VB 4N03L02-VB数据手册

4N03L02-VB封装设计

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2500+ ¥ 1.8212
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