处理中...

首页  >  产品百科  >  2SK1257-VB

2SK1257-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,60V,45A,RDS(ON),27mΩ@10V,31mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO220F用于快速充电器中的功率开关元件,实现对电池的快速充电,适用于手机快充充电器、电动车快充充电器等设备。
供应商型号: 2SK1257-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 2SK1257-VB

2SK1257-VB概述


    产品简介


    本文档介绍了型号为2SK1257-VB的N沟道60V(D-S)功率场效应晶体管(MOSFET)。该MOSFET主要用于高电压和高温环境下的各种电力转换和控制应用,适用于电源管理、电机驱动、太阳能逆变器等多个领域。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压(VDS):60V
    - 阈值电压(VGS(th)):1.0 ~ 3.0 V
    - 栅极漏电流(IGSS):± 100 nA
    - 零栅极电压漏极电流(IDSS):≤ 25 µA
    - 导通电阻(RDS(on)):0.027 Ω @ VGS = 10 V
    - 输入电容(Ciss):1500 pF
    - 输出电容(Coss):-
    - 转移电容(Crss):-
    - 总栅极电荷(Qg):95 nC
    - 栅源电荷(Qgs):27 nC
    - 栅漏电荷(Qgd):46 nC
    - 最大脉冲电流(IDM):220 A
    - 最大脉冲雪崩能量(EAS):100 mJ
    - 热阻参数
    - 最大结到外壳热阻(RthJC):3.1 °C/W
    - 最大结到环境热阻(RthJA):65 °C/W
    - 动态参数
    - 动态dv/dt额定值:4.5 V/ns

    产品特点和优势


    1. 高隔离度:提供2.5 kVRMS的高压隔离,确保在高电压环境下安全可靠运行。
    2. 宽温度范围:可在-55°C至+175°C的极端温度下正常工作,适合恶劣环境应用。
    3. 低导通电阻:导通电阻仅为0.027 Ω,有助于减少功耗和提高效率。
    4. 快速开关速度:具有较快的开关速度,能有效降低开关损耗。
    5. RoHS合规性:符合RoHS标准,环保无铅。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2SK1257-VB MOSFET在多种电力电子应用中表现优异。例如,在电机驱动系统中,它可以提供稳定的电流输出,同时通过高隔离度保障安全;在太阳能逆变器中,它能够高效地进行电压转换,提升整体系统的能效。
    使用建议
    1. 散热管理:鉴于其高热阻特性,合理设计散热路径是必要的,可以考虑使用散热片或散热风扇来加强散热。
    2. 选择合适的栅极驱动器:为保证MOSFET的稳定工作,应选择与之匹配的栅极驱动器,以避免因栅极信号不足导致的误操作。
    3. 适当降额使用:在极端工作条件下,如高温或高电压环境中,可适当降低其电流和电压等级使用,以延长使用寿命。

    兼容性和支持


    2SK1257-VB MOSFET具有良好的兼容性,适用于各类标准电源设计和电路板布局。制造商台湾VBsemi公司提供了详细的技术文档和专业支持,包括安装指南、焊接建议及常见问题解答。如有需要,可通过服务热线400-655-8788获得技术支持。

    常见问题与解决方案


    1. 如何改善散热效果?
    - 确保使用高效的散热片或风扇,并合理布置电路板以促进空气流通。

    2. MOSFET工作不稳定怎么办?
    - 检查是否选择了正确的栅极驱动器,并确认是否符合该MOSFET的工作条件。

    总结和推荐


    综上所述,2SK1257-VB MOSFET凭借其高隔离度、宽温度范围和低导通电阻等特性,特别适用于高压、高温及高可靠性要求的应用场合。无论是电机驱动还是电源管理等领域,都是一个非常可靠的选择。强烈推荐用于需在极端条件下工作的电力电子设备中。

2SK1257-VB参数

参数
通道数量 -
配置 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 27mΩ@10V,31mΩ@4.5V
Id-连续漏极电流 45A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

2SK1257-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

2SK1257-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 2SK1257-VB 2SK1257-VB数据手册

2SK1257-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 32.07
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N50E-VB ¥ 3.498
06N06L ¥ 0.253
06N60E-VB ¥ 3.498
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.43
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
10N80L-T3P-T-VB ¥ 12.5579
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.3831