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JCS4N60FC-O-F-N-B-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,4A,RDS(ON),2560mΩ@10V,20Vgs(±V);3.8Vth(V)\n一款单通道 N 型 MOSFET,采用 Plannar 技术制造,具有高性能和可靠性。其封装为 TO220F,适用于各种电源和功率控制应用。
供应商型号: JCS4N60FC-O-F-N-B-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) JCS4N60FC-O-F-N-B-VB

JCS4N60FC-O-F-N-B-VB概述

    JCS4N60FC-O-F-N-B-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    产品名称: JCS4N60FC-O-F-N-B-VB
    产品类型: N-Channel 650V Power MOSFET
    主要功能: 提供高效的开关能力,在高压环境下表现优异。适用于高频电路设计、电源转换模块及电机驱动系统等高可靠性要求的应用场景。
    应用领域: 广泛应用于工业控制、电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UPS)、光伏逆变器以及LED驱动等领域。

    技术参数


    以下是该产品的核心技术和性能参数:
    | 参数项 | 数值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) | 650 | V |
    | 门极开启电压(VGS(th)) | 2.0~4.0 | V |
    | 阈值电流(IDSS) | ≤ 25μA | µA |
    | 导通电阻(RDS(on)) | 2.5(@VGS=10V) | Ω |
    | 总电荷(Qg(Max)) | 48 | nC |
    | 输入电容(Ciss) | ≤ 80 | pF |
    | 关断延迟时间(td(off)) | ≤ 34 | ns |
    | 最大耗散功率(PD) | 30 | W |
    | 工作温度范围(TJ, Tstg) | -55~+150 | °C |

    产品特点和优势


    1. 低门极电荷(Qg):显著降低驱动电路复杂度,减少功耗。
    2. 高可靠性能:耐高重复瞬态电压、强抗雪崩能力和快速关断响应,确保长期稳定运行。
    3. RoHS合规:完全符合环保标准,满足欧盟及其他国际法规要求。
    4. 卓越散热设计:热阻(RthJA=65°C/W,RthJC=2.1°C/W),适合高功率密集型应用。

    应用案例和使用建议


    典型应用案例:
    - 太阳能微型逆变器:JCS4N60FC能有效减少开关损耗,提高整体效率。
    - 电机控制器:其快速开关性能和较低导通电阻适配于电机调速和驱动需求。
    使用建议:
    - 在设计驱动电路时,应确保门极驱动电压超过阈值,避免半开状态引发额外发热。
    - 增加并联散热片以降低工作温度,延长产品寿命。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 可广泛应用于主流PCB设计和封装工艺中。支持直接替换同类产品如IRF系列或英飞凌型号。
    支持服务:
    - 客户可拨打官方服务热线400-655-8788获取详细技术支持。制造商VBsemi提供在线文档更新和技术升级服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 调整门极驱动电阻,优化波形输出。 |
    | 温度过高 | 增加外部散热措施,如风冷或水冷方案。 |
    | 功率过载 | 更换更高功率等级的产品或增加散热器。 |

    总结和推荐


    综合评价:
    JCS4N60FC-O-F-N-B-VB是一款高性能、高可靠性的N通道650V功率MOSFET,其关键指标优于同类产品,尤其在高温、高频及高压场景下表现优异。同时,它具有绿色环保特性,符合RoHS和无卤素标准,符合现代电子设计趋势。
    推荐结论:
    建议在工业控制、新能源电力转换及车载电子等领域优先选择该产品。对于需要长时间高效运行且追求高性价比的项目,JCS4N60FC是最佳之选。

JCS4N60FC-O-F-N-B-VB参数

参数
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.8V
最大功率耗散 -
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 2.56Ω@ 10V
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 4A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

JCS4N60FC-O-F-N-B-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

JCS4N60FC-O-F-N-B-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 JCS4N60FC-O-F-N-B-VB JCS4N60FC-O-F-N-B-VB数据手册

JCS4N60FC-O-F-N-B-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
1000+ ¥ 1.8212
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型号 价格(含增值税)
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