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WFU2N60-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,2A,RDS(ON),4300mΩ@10V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO251 可用于电源管理模块、太阳能光伏逆变器、 LED驱动器、电动工具驱动器等产品,产品具有高漏极电阻和低漏极电流,适用于多种领域和模块。
供应商型号: WFU2N60-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) WFU2N60-VB

WFU2N60-VB概述

    WFU2N60 MOSFET 技术手册

    产品简介


    WFU2N60 是一款由台湾 VBsemi 电子公司生产的 N 沟道功率 MOSFET。这款 MOSFET 的主要功能是提供高效能的开关功能,在各种电力电子设备中被广泛应用,例如电源转换器、电机驱动器、太阳能逆变器等领域。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS): 650 V
    - 连续漏极电流 (ID): 1.28 A(TC = 25 °C),1.2 A(TC = 100 °C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 8 A(pulse width ≤ 300 µs,duty cycle ≤ 2 %)
    - 最大功耗 (PD): 45 W(TC = 25 °C)
    - 最高结温 (TJ): -55 °C 至 +150 °C
    - 阈值电压 (VGS(th)): 2.0 - 4.0 V
    - 输出电容 (Coss): 45 pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 11 nC(VGS = 10 V,ID = 1 A)
    - 门极电荷 (Qgs): 2.3 nC
    - 有效输出电容 (Coss eff.): 26 nF

    产品特点和优势


    WFU2N60 MOSFET 具有多项显著的优势:
    1. 低门极电荷 (Qg): 低门极电荷可以减少驱动要求,简化电路设计。
    2. 增强的门极、雪崩和动态 dV/dt 耐受力: 提高了产品的可靠性和耐用性。
    3. 全面的电容和雪崩电压、电流特性: 为设计者提供了详细的设计参数。
    4. 符合 RoHS 指令: 保证环保要求,适合绿色产品设计。

    应用案例和使用建议


    WFU2N60 MOSFET 可以应用于多种电源转换系统,如图 8 中的最大安全操作区显示了其在不同电压和电流条件下的应用范围。建议在使用时注意散热管理,尤其是在高负载条件下,以避免温度过高导致的损坏。

    兼容性和支持


    WFU2N60 MOSFET 与其他电子元件具有良好的兼容性,适用于大多数标准电路板设计。制造商提供技术支持和维护服务,帮助客户解决可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    - Q: 产品是否有过热保护?
    - A: 需要通过外部电路实现过热保护,因为芯片本身没有内置保护机制。
    - Q: 如何确保正确的栅极驱动电压?
    - A: 使用合适的栅极电阻 (RG) 来限制驱动电流,并确保驱动器能够提供足够的驱动能力。

    总结和推荐


    WFU2N60 MOSFET 在电力电子设备中表现出色,其低门极电荷和增强的耐受力使其成为许多应用的理想选择。虽然它需要一些额外的外部保护措施,但总体来说,其优异的性能和广泛的应用范围使得该产品值得推荐使用。
    希望这篇手册能够帮助您更好地了解 WFU2N60 MOSFET 的特性和应用。如有任何疑问,请联系我们的客户服务热线:400-655-8788。

WFU2N60-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.3Ω@ 10V
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 2A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

WFU2N60-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

WFU2N60-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 WFU2N60-VB WFU2N60-VB数据手册

WFU2N60-VB封装设计

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