处理中...

首页  >  产品百科  >  HFS10N60S-VB

HFS10N60S-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用平面工艺制造,具有TO220F封装,适用于各种应用场景
供应商型号: HFS10N60S-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HFS10N60S-VB

HFS10N60S-VB概述

    HFS10N60S-VB N-Channel 650V Power MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    HFS10N60S-VB 是一款N沟道高压(650V)功率MOSFET。该器件具有低导通电阻(Ron)和快速开关性能,使其成为多种电力转换应用的理想选择。该器件主要用于服务器和电信电源供应、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电源供应以及工业照明等领域,例如高强度放电灯(HID)和荧光灯照明。

    2. 技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 | - | 650 | - | V |
    | 漏源导通电阻 | - | 0.12 | - | Ω |
    | 有效输出电容 (Coss) | - | 63 | - | pF |
    | 总栅极电荷 (Qg) | - | 43 | - | nC |
    | 栅源电荷 (Qgs) | - | 5 | - | nC |
    | 栅漏电荷 (Qgd) | - | 22 | - | nC |
    | 额定单脉冲雪崩能量 | - | 0.6 | - | mJ |
    | 持续漏极电流 (Tj=150℃) | - | 9.4 | - | A |

    3. 产品特点和优势


    HFS10N60S-VB 的关键特点是其低导通电阻和低栅极电荷,这使得它在高频和高效率的应用中表现出色。具体而言:
    - 低栅极电荷 (Qg):有助于降低驱动损耗,从而提高整体效率。
    - 低漏源导通电阻 (Rds(on)):减少传导损耗,提高系统能效。
    - 低输入电容 (Ciss):减少开关过程中的充电时间,提高开关频率。
    - 增强可靠性:采用全封装结构,提供更好的机械和热稳定性。
    这些特性使其在诸如电源转换、LED照明和工业控制等高要求应用中脱颖而出。

    4. 应用案例和使用建议


    HFS10N60S-VB 在多种应用中表现优异。以下是一些典型的应用案例和使用建议:
    - 服务器和电信电源:利用其高效和可靠的特性,实现稳定的电源管理。
    - 工业控制:适用于工业自动化设备中的电机控制和传感器接口。
    - LED照明:在荧光灯和高强度放电灯中,通过精确的电流控制实现高效照明。
    建议在选择MOSFET时考虑其在特定应用中的散热需求,并确保良好的PCB布局以减少寄生电感和寄生电阻。

    5. 兼容性和支持


    HFS10N60S-VB 支持与其他标准驱动器和控制器的直接集成。制造商提供了详尽的技术支持文档,包括应用指南和设计工具,帮助用户快速上手。此外,还提供样品和原型测试支持,加速产品开发进程。

    6. 常见问题与解决方案


    以下是几个常见的问题及其解决方案:
    - 问题:MOSFET在高电流下发热严重。
    - 解决方案:增加散热片或改进散热设计,确保MOSFET工作在合适的温度范围内。

    - 问题:MOSFET在关断过程中出现振荡现象。
    - 解决方案:增加适当的栅极电阻以减缓开关速度,降低振荡风险。

    - 问题:MOSFET在高频应用中表现出异常。
    - 解决方案:检查电路布局,避免长走线和过大的寄生电感。

    7. 总结和推荐


    HFS10N60S-VB 是一款高性能的N沟道高压功率MOSFET,具备低导通电阻和低栅极电荷,使其在各种电力转换应用中表现出色。考虑到其高可靠性、易于集成和支持,该器件非常适合需要高效、可靠电力转换的各类应用。强烈推荐在新项目和替换现有解决方案时选用HFS10N60S-VB。

HFS10N60S-VB参数

参数
Id-连续漏极电流 12A
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 680mΩ@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 650V
配置 -
栅极电荷 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HFS10N60S-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HFS10N60S-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 HFS10N60S-VB HFS10N60S-VB数据手册

HFS10N60S-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 4.2759
100+ ¥ 3.9592
500+ ¥ 3.8008
1000+ ¥ 3.6425
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 42.75
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336