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UD6001A-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: UD6001A-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UD6001A-VB

UD6001A-VB概述


    产品简介


    UD6001A P-Channel MOSFET 是一款采用TrenchFET®技术的高性能电子元器件,适用于负载开关和其他需要高可靠性、低导通电阻的应用场景。该产品在-55°C至175°C的工作温度范围内表现出色,是工业控制、汽车电子和通信设备等领域的重要组件。

    技术参数


    | 参数 | 型号 | 单位 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
    |
    | 漏源击穿电压(VDS) V | - | 60
    | 导通电阻(RDS(on)) | VGS=-10V | Ω 0.061 | 0.150 |
    | 导通电阻(RDS(on)) | VGS=-4.5V | Ω 0.072
    | 连续漏极电流(ID) A | - | 30
    | 脉冲漏极电流(IDM) A | - | 30
    | 反向恢复时间(trr) ns | - | 50
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) mJ | - | 7.2

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术:确保高效率和低功耗,提升整体系统性能。
    - 100% UIS 测试:确保每颗器件都能承受最高电压和电流冲击。
    - 宽泛的工作温度范围:适用于极端环境下的工业和汽车应用。
    - 低导通电阻:在典型工作条件下,导通电阻低至0.061Ω,确保高效能。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 负载开关:用于电源管理系统的开关电路中,能够快速响应负载变化,提高系统的稳定性和可靠性。
    使用建议
    - 散热设计:为了保证长期可靠运行,建议在PCB上增加散热片或热管,以降低器件的温升。
    - 电容匹配:确保电路中的输入和输出电容容量足够,以减小瞬态电压对MOSFET的影响。


    兼容性和支持


    - 兼容性:本产品与各种表面贴装技术(SMT)兼容,可广泛应用于多种电路板设计中。
    - 技术支持:VBsemi公司提供全面的技术支持,包括样品请求、工程咨询和技术文档下载等。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 加强散热措施,使用散热片或热管 |
    | 开关损耗较大 | 优化电路设计,减小寄生电容的影响 |
    | 雪崩击穿现象 | 确保外部保护电路的设计合理,增强过压保护措施 |

    总结和推荐


    UD6001A P-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,适合在各种恶劣环境下使用。它的低导通电阻和宽泛的工作温度范围使其在工业和汽车领域有显著优势。我们强烈推荐该产品用于需要高可靠性和高性能的负载开关和电源管理应用中。

UD6001A-VB参数

参数
最大功率耗散 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 38A
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UD6001A-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UD6001A-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UD6001A-VB UD6001A-VB数据手册

UD6001A-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 2.138
100+ ¥ 1.9796
500+ ¥ 1.9004
2500+ ¥ 1.8212
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起订量: 15 增量: 2500
交货地:
最小起订量为:15
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型号 价格(含增值税)
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