处理中...

首页  >  产品百科  >  K3404-VB

K3404-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,80A,RDS(ON),6mΩ@10V,9mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220\n适用于电源模块、电机驱动器、照明控制模块等领域,可用于开关电源、电动汽车、LED照明系统等模块中的功率开关和控制器,以实现高效能量转换和稳定性能输出。
供应商型号: K3404-VB TO220
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3404-VB

K3404-VB概述

    K3404-VB N-Channel MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K3404-VB 是一款 N-Channel 30V(D-S)功率 MOSFET,采用 TrenchFET® 技术制造。它广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效率和低功耗的应用场景中。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \(V{DS}\): 30 V
    - 栅源电压 \(V{GS}\): ± 20 V
    - 持续漏极电流 \(ID\): 80 A (当 \(TJ = 175^\circ \text{C}\))
    - 单脉冲雪崩能量 \(E{AS}\): 94.8 mJ
    - 最大结到环境热阻 \(R{thJA}\): 32-40 \(^\circ \text{C/W}\)
    - 最大结到外壳热阻 \(R{thJC}\): 0.5-0.6 \(^\circ \text{C/W}\)
    - 静态特性
    - 漏源击穿电压 \(V{DS}\): 30 V (当 \(V{GS} = 0 \text{V}\), \(ID = 250 \mu\text{A}\))
    - 门限电压 \(V{GS(th)}\): 1.0 - 2.5 V (当 \(V{DS} = V{GS}\), \(ID = 250 \mu\text{A}\))
    - 开启状态漏极电流 \(I{D(on)}\): 90 A (当 \(V{DS} \geq 5 \text{V}\), \(V{GS}\))
    - 导通电阻 \(R{DS(on)}\):
    - \(V{GS} = 10 \text{V}\), \(ID = 2 \text{A}\): 0.006 \(\Omega\)
    - \(V{GS} = 4.5 \text{V}\), \(ID = 30 \text{A}\): 0.009 \(\Omega\)
    - 动态特性
    - 输入电容 \(C{iss}\): 1600 pF (当 \(V{DS} = 15 \text{V}\), \(V{GS} = 0 \text{V}\), \(f = 1 \text{MHz}\))
    - 输出电容 \(C{oss}\): 525 pF
    - 反向转移电容 \(C{rss}\): 370 pF
    - 总栅极电荷 \(Qg\): 35 - 45 nC

    产品特点和优势


    - TrenchFET® 技术: 提供卓越的性能和低导通电阻,适用于高效率应用。
    - 100% Rg 和 UIS 测试: 确保产品质量和可靠性。
    - 符合 RoHS 指令: 符合欧盟 RoHS 标准,环保可靠。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例: K3404-VB 广泛用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域。例如,在一个 DC-DC 转换器中,K3404-VB 可以高效地调节输出电压。
    - 使用建议: 在选择散热方案时,建议使用高导热材料以提高热效性。同时,确保电路设计中合理安排栅极电阻以避免过高电流引发的损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: K3404-VB 可与其他标准 TO-220AB 封装的器件兼容。
    - 支持: VBsemi 提供详细的用户手册和技术支持服务,用户可通过服务热线 400-655-8788 获得帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 漏极电流过大导致温度过高。
    - 解决方案: 加强散热措施,确保良好的热管理。
    - 问题 2: 开关频率不稳定。
    - 解决方案: 检查并调整电路中的相关参数,如栅极电阻和电容。

    总结和推荐


    K3404-VB N-Channel MOSFET 具有出色的性能和可靠性,特别适合于高效率的电力管理和电机驱动应用。其优越的技术指标和广泛的适用范围使其成为市场上极具竞争力的产品。因此,强烈推荐使用 K3404-VB。
    通过以上全面的分析,K3404-VB 显然是一款值得信赖且高性能的 N-Channel MOSFET。

K3404-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 80A
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@10V,9mΩ@4.5V
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 30V
栅极电荷 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K3404-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3404-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K3404-VB K3404-VB数据手册

K3404-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15+ ¥ 1.9435
100+ ¥ 1.7996
500+ ¥ 1.7275
1000+ ¥ 1.6556
库存: 400000
起订量: 15 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:15
合计: ¥ 29.15
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0