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K2022-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K2022-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K2022-VB

K2022-VB概述

    Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    产品类型:Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)
    主要功能:提供高效的开关和导通功能,适用于高电压和大电流的应用场合。
    应用领域:
    - 服务器和电信电源供应
    - 开关模式电源(SMPS)
    - 功率因数校正电源(PFC)
    - 照明系统(如高强度放电灯HID和荧光灯镇流器)
    - 工业应用

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 最大漏源电压 VDS | 650 | V |
    | 漏源导通电阻 RDS(on) | 1.0 | Ω(VGS=10V时) |
    | 最大连续漏极电流 ID | 215 | A |
    | 脉冲漏极电流 IDM | 600 | A |
    | 单脉冲雪崩能量 EAS | 97 | mJ |
    | 最大耗散功率 PD | 140 | W |
    | 最大工作结温和存储温度范围 TJ, Tstg | -55 to +150 | °C |
    | 栅源阈值电压 VGS(th) | 2.5 ~ 5.0 | V |
    | 栅源漏电 IGSS | ±100nA
    | 漏源击穿电压 VDS | 650 | V |
    | 输入电容 Ciss | 见图 6 | pF |
    | 输出电容 Coss | 见图 5 | pF |
    | 有效输出电容 Co(er) | 见图 5 | pF |
    | 总栅电荷 Qg | 32 | nC |

    3. 产品特点和优势


    特点:
    - 低开关损耗和导通损耗
    - 低输入电容(Ciss)
    - 极低的栅电荷(Qg)
    - 反复性额定雪崩能量(UIS)
    优势:
    - 高效率:低导通电阻和低输入电容使器件具有高效能。
    - 快速开关:极低的栅电荷有助于实现快速的开关操作。
    - 可靠性高:重复性的雪崩能量保证了产品的可靠性。
    - 适用范围广:广泛应用于多种电源管理和照明系统中。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在服务器和电信电源供应中,用于实现高效稳定的电压转换。
    - 在工业应用中,用于电机驱动和控制电路。
    使用建议:
    - 在使用过程中,应注意避免长时间超过最大额定温度,以防止过热损坏。
    - 在接线时,确保栅源电压不超过规定的最大值,以保护栅氧化层不被损坏。
    - 对于高速开关的应用,建议采用低阻抗的栅极驱动器以减少开关损耗。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - 该器件适用于标准的TO-220 FULLPAK封装,易于与现有电路板上的其他元件兼容。
    - 与同类规格的MOSFET和驱动器兼容,适用于各种工业标准应用。
    支持和服务:
    - VBsemi 提供全面的技术支持和售后服务,确保用户能够充分利用产品的功能。
    - 用户可通过公司网站下载详细的用户手册和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    问题:
    - 无法达到预期的开关速度?

    解决方案:
    - 检查栅极驱动电路是否正确连接,并且驱动信号的幅值和频率是否符合要求。
    - 确保电路板上的杂散电感足够小,以避免不必要的栅极振荡。
    问题:
    - 产品在高温环境下出现性能下降?
    解决方案:
    - 在设计时考虑热管理,增加散热片或采用风扇冷却措施,确保器件在工作温度范围内稳定运行。
    - 定期进行温度监测,必要时采取适当的冷却策略。

    7. 总结和推荐


    综合评估:
    - 该款Power MOSFET 具有卓越的性能和广泛的适用范围。
    - 其低损耗特性使其成为电源管理和电机控制领域的理想选择。
    - 设计简洁,易于集成到现有的电路设计中。
    推荐使用:
    - 推荐给需要高效能、低损耗、高可靠性的应用,特别是在电力电子和工业自动化领域。
    服务热线:400-655-8788
    通过以上详细的产品介绍和技术规格说明,我们相信这款Power MOSFET将为您的项目带来显著的优势和性能提升。

K2022-VB参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
通道数量 -
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 7A
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K2022-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K2022-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K2022-VB K2022-VB数据手册

K2022-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
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