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NP80N04PDG-E2B-AY-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,40V,180A,RDS(ON),2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V,20Vgs(±V);1~3Vth(V) 封装:TO263适用于需要高性能、高可靠性的电子系统,如电源开关、电动车辆和工业控制等领域的模块中。
供应商型号: NP80N04PDG-E2B-AY-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) NP80N04PDG-E2B-AY-VB

NP80N04PDG-E2B-AY-VB概述

    NP80N04PDG-E2B-AY N-Channel 4V MOSFET 技术手册

    产品简介


    NP80N04PDG-E2B-AY 是一款N沟道4V(D-S)功率MOSFET,专为同步整流和电源供应设计。其内部采用了TrenchFET®技术,具备高性能的电气特性和出色的稳定性,适用于多种电子设备的开关控制和能量转换应用。

    技术参数


    - 基本规格
    - 漏源电压 (VDS): 4V
    - 额定漏极电流 (ID): 150A(TC=25°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 380A
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 320mJ
    - 电气特性
    - 置零栅极电压漏极电流 (IDSS): <1μA
    - 开态漏源电阻 (RDS(on)):
    - 在 VGS = 10V, ID = 30A 下为 0.0017Ω
    - 在 VGS = 4.5V, ID = 20A 下为 0.0025Ω
    - 转导电容 (gfs): 180S (VDS = 15V, ID = 30A)
    - 输入电容 (Ciss): 9000pF (VDS = 20V, VGS = 0V, f = 1MHz)
    - 输出电容 (Coss): 650pF
    - 反向传输电容 (Crss): 450pF
    - 总栅极电荷 (Qg): 120-180nC
    - 热特性
    - 最大结至环境热阻 (RthJA): 32°C/W(典型值),40°C/W(最大值)
    - 最大结至壳热阻 (RthJC): 0.33°C/W(典型值),0.4°C/W(最大值)

    产品特点和优势


    1. TrenchFET® 技术:独特的TrenchFET®结构提高了器件的可靠性和性能,使得漏源电阻更低。
    2. 高可靠性测试:所有产品都经过100% Rg 和 UIS 测试,确保无故障运行。
    3. 高效率:低RDS(on)特性降低了功耗,提高能效。
    4. 宽工作温度范围:-55°C 到 +150°C 的宽温工作范围,使其适应各种恶劣环境。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:在高效率的DC-DC转换器中,这款MOSFET能够有效减少开关损耗。
    - 电源供应:适合于各种类型的电源设备,如笔记本电脑、服务器和电信设备中的开关电源。

    使用建议:
    - 在选择工作电压时,确保不超过器件的最大额定电压(4V)。
    - 对于高频应用,考虑外部电路设计以降低寄生电容的影响。
    - 建议使用适当的散热措施以保持设备正常工作温度,避免因过热导致的失效。

    兼容性和支持


    NP80N04PDG-E2B-AY 采用标准的D2PAK封装,与市面上主流的焊接工艺兼容。VBsemi公司提供详尽的技术支持和售后服务,包括电话咨询和电子邮件支持。

    常见问题与解决方案


    1. 如何测试产品的可靠性?
    - 建议进行100% Rg 和 UIS 测试,确保所有批次的产品均符合标准。

    2. 在高温环境下工作时,是否需要特殊的散热措施?
    - 建议使用合适的散热器或热管系统,以确保结温不超过150°C的最大限制。
    3. 如何验证产品的使用寿命?
    - 请参考器件的数据手册和应用指南,通过老化试验和长时间稳定性测试来验证。

    总结和推荐


    NP80N04PDG-E2B-AY N-Channel 4V MOSFET凭借其出色的性能和稳定性,在多种应用场景中表现出色。它具有卓越的耐温性能和可靠的电气特性,非常适合用于同步整流和电源供应。VBsemi公司提供了良好的技术支持和客户服务,这使得这款MOSFET成为市场的首选之一。对于需要高效能、高可靠性的电子设备而言,NP80N04PDG-E2B-AY是一款非常值得推荐的产品。

NP80N04PDG-E2B-AY-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V~3V
最大功率耗散 -
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 40V
配置 -
Id-连续漏极电流 180A
Rds(On)-漏源导通电阻 2mΩ@10V,2.5mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NP80N04PDG-E2B-AY-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

NP80N04PDG-E2B-AY-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 NP80N04PDG-E2B-AY-VB NP80N04PDG-E2B-AY-VB数据手册

NP80N04PDG-E2B-AY-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 5.8305
100+ ¥ 5.3986
500+ ¥ 5.1826
800+ ¥ 4.9667
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起订量: 10 增量: 800
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最小起订量为:10
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型号 价格(含增值税)
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