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FQB33N10TM-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 单通道 N 型功率MOSFET,采用Trench技术,适用于电动车辆、工业控制、电源开关和太阳能逆变器等多个领域。100V,45A,RDS(ON),32mΩ@10V,34mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO263
供应商型号: FQB33N10TM-VB TO263
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQB33N10TM-VB

FQB33N10TM-VB概述

    FQB33N10TM-VB N-Channel 100-V MOSFET 技术手册

    产品简介


    FQB33N10TM-VB 是一款由 VBsemi 生产的 N 沟道 100V 耐压 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它属于高效率、低热阻的沟槽式功率 MOSFET,适用于多种工业和消费电子产品中。这款 MOSFET 可以在 175°C 的结温下工作,具有出色的电气特性和可靠性。

    技术参数


    | 参数 | 测试条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 \(V{(BR)}DSS\) | \(V{SS} = 0V\), \(ID = 250 \mu A\) | 100 V |
    | 栅极阈值电压 \(V{GS(th)}\) | \(V{DS} = V{GS}\), \(ID = 250 \mu A\) | 1 | 3 V |
    | 零栅极电压漏极电流 \(I{DSS}\) | \(V{DS} = 80V\), \(V{GS} = 0V\), \(TJ = 125 ^{\circ}C\) | 1 \(\mu A\) |
    | 漏源导通电阻 \(r{DS(on)}\) | \(V{GS} = 10V\), \(ID = 5A\) | 0.030 \(\Omega\) |
    | 转导电导 \(g{fs}\) | \(V{DS} = 15V\), \(ID = 15A\) 10 S |
    | 输入电容 \(C{iss}\) | \(V{GS} = 0V\), \(V{DS} = 25V\), \(f = 1MHz\) 3100 | pF |
    | 输出电容 \(C{oss}\) | 410 | pF |
    | 反向传输电容 \(C{rss}\) | 150 | pF |
    | 总栅极电荷 \(Qg\) | \(V{DS} = 50V\), \(V{GS} = 10V\), \(ID = 40A\) | 35 | 60 | nC |
    | 栅极-源极电荷 \(Q{gs}\) | 11 | nC |
    | 栅极-漏极电荷 \(Q{gd}\) | 9 | nC |

    产品特点和优势


    - 高性能 TrenchFET® 功率 MOSFET:采用了先进的沟槽技术,确保了高可靠性和低损耗。
    - 宽温度范围:能够在 -55°C 到 175°C 的环境中稳定工作,特别适合严苛环境的应用。
    - 低导通电阻:在 \(V{GS} = 10V\) 时,典型值为 0.030Ω,确保了高效的电流传导。
    - 低热阻封装:有助于散热,减少温升,提升产品寿命。
    - 高可靠性:可承受高达 35A 的雪崩电流,并具备良好的重复雪崩能量能力。

    应用案例和使用建议


    - 直流电机控制:适用于需要高效驱动的场合,如电动工具、机器人和自动控制系统。
    - 电源转换:在开关电源设计中,可以提高转换效率和稳定性。
    - LED 照明:利用其低导通电阻特性,减少功耗,提升 LED 灯具的能效。
    使用建议:
    - 在高温环境下工作时,确保良好的散热措施,避免结温过高导致损坏。
    - 选用合适的栅极电阻,以优化开关速度和降低损耗。
    - 注意雪崩能量测试条件,确保在设计时考虑其安全工作区域。

    兼容性和支持


    - 兼容性:此 MOSFET 采用 TO-263 (D2PAK) 封装,易于集成到现有的电路板设计中。
    - 技术支持:VBsemi 提供详尽的技术文档和客户服务热线(400-655-8788),可解答用户在应用过程中的疑问和提供必要的技术支持。

    常见问题与解决方案


    - Q: 如何测量 MOSFET 的导通电阻?
    - A: 使用万用表测量源极和漏极之间的电阻,在栅极施加合适的电压后进行测量。

    - Q: 高温工作时如何优化散热?
    - A: 可以增加散热片或者使用带有散热系统的散热器,确保结温不超过最大允许值。

    - Q: MOSFET 在什么条件下会出现雪崩现象?
    - A: 在过高的电压和电流冲击下,MOSFET 可能会出现雪崩现象。设计时需注意避免此类情况的发生。

    总结和推荐


    综上所述,FQB33N10TM-VB N-Channel 100-V MOSFET 是一款高性能、高可靠性的产品,特别适用于高温环境下的应用。其出色的电气特性和良好的热管理能力使其成为众多工业和消费电子产品中的理想选择。推荐在需要高效、稳定工作的应用中使用此产品。

FQB33N10TM-VB参数

参数
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 32mΩ@10V,34mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Id-连续漏极电流 45A
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

FQB33N10TM-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQB33N10TM-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FQB33N10TM-VB FQB33N10TM-VB数据手册

FQB33N10TM-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
800+ ¥ 2.9798
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