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HMS21N60F-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 N沟道,650V,20A,RDS(ON),190mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO220F 该产品可用于设计各种类型的电力模块,包括交流/直流变换器和电机驱动器,以满足工业和商业领域的电力需求。
供应商型号: HMS21N60F-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) HMS21N60F-VB

HMS21N60F-VB概述

    HMS21N60F-VB N-Channel 650 V Super Junction Power MOSFET

    产品简介


    HMS21N60F-VB 是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,专为需要高效能转换的应用而设计。它具有低导通电阻(RDS(on))、低输入电容(Ciss)和低栅极电荷(Qg),能够在高频开关应用中显著降低损耗,适用于服务器电源、电信电源、开关模式电源(SMPS)、功率因数校正电源(PFC)等领域。此外,它也广泛应用于照明系统,如高强度放电灯(HID)和荧光灯管,以及工业控制应用。

    技术参数


    - 最高漏源电压 (VDS): 650 V
    - 栅源阈值电压 (VGS(th)): 2 V - 5 V
    - 漏源导通电阻 (RDS(on)): 0.19 Ω (在 VGS=10 V 下)
    - 栅源电荷 (Qgs): 14 nC
    - 栅漏电荷 (Qgd): 33 nC
    - 总栅极电荷 (Qg): 106 nC
    - 集电极-发射极输出电容 (Coss): 105 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 4 pF
    - 最大单脉冲雪崩能量 (EAS): 360 mJ
    - 最大连续漏极电流 (ID): 20 A (在 TJ=25 °C 下)
    - 最大漏源电压斜率 (dV/dt): 50 V/ns
    - 工作温度范围: -55 °C 到 +150 °C

    产品特点和优势


    HMS21N60F-VB 具备以下独特功能和优势:
    - 低导通电阻和低栅极电荷: 减少了开关损耗和传导损耗,从而提高了整体效率。
    - 低输入电容: 改善了驱动速度,减少了开关损耗。
    - 超低栅极电荷: 使得该MOSFET在高速开关应用中表现出色,适合要求高频率的应用。
    - 高重复性雪崩能量: 增强了可靠性,使其能够承受高能量瞬态事件。
    - 宽工作温度范围: 适用于各种极端环境条件。

    应用案例和使用建议


    HMS21N60F-VB 在多个领域得到了广泛应用:
    - 服务器电源: 高效处理大量电力转换需求。
    - 开关模式电源 (SMPS): 通过低损耗操作提升电源转换效率。
    - 照明: 如高强度放电灯(HID)和荧光灯管,用于改善光效和延长寿命。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热管理以确保长期可靠运行。
    - 对于高频应用,建议选择合适的驱动电路以充分利用其快速开关特性。

    兼容性和支持


    HMS21N60F-VB 与各种标准封装相兼容,适用于 TO-220 FULLPAK 封装。厂商提供技术支持,包括详细的技术文档、常见问题解答和售后支持。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 开关过程中出现过高的瞬态电压。
    - 解决方案: 使用适当的缓冲电路来抑制瞬态电压,减少器件应力。

    - 问题: 温度过高导致性能下降。
    - 解决方案: 确保良好的散热措施,如使用散热片或散热风扇。

    总结和推荐


    HMS21N60F-VB 是一款高性能的N沟道超结功率MOSFET,具备低导通电阻、低栅极电荷和高重复性雪崩能量,非常适合在服务器电源、开关模式电源和工业应用中使用。它出色的性能和广泛的应用范围使其成为市场上极具竞争力的产品。我们强烈推荐使用 HMS21N60F-VB 来提高系统的效率和可靠性。

HMS21N60F-VB参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ@ 10V
Vgs-栅源极电压 30V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Id-连续漏极电流 20A
Vds-漏源极击穿电压 650V
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

HMS21N60F-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

HMS21N60F-VB数据手册

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HMS21N60F-VB封装设计

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