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IRFR430BTF-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\n650V,5A,RDS(ON),950mΩ@10V,30Vgs(±V);3.5Vth(V) \n一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO252,具有稳定可靠的性能。适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。
供应商型号: IRFR430BTF-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) IRFR430BTF-VB

IRFR430BTF-VB概述


    产品简介


    IRFR430BTF N-Channel MOSFET 是一款高电压、高性能的场效应晶体管(Field Effect Transistor),适用于各种电力转换应用。其主要功能包括快速开关、低损耗和出色的电流处理能力。该产品广泛应用于电源管理和控制、电机驱动、太阳能逆变器和通信设备等领域。

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | 650 | - | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | 2.0 | - | 4.0 | V |
    | 零栅电压漏极电流 | IDSS | - | - | 100 | µA |
    | 栅极电荷 | Qg | - | - | 15 | nC |
    | 栅源电荷 | Qgs | - | - | 3 | nC |
    | 栅漏电荷 | Qgd | - | - | 6 | nC |
    | 漏源导通电阻 | RDS(on) | - | 0.95 | - | Ω |
    | 集电极-发射极耐压 | VCEO | 650 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 | ID | - | 5 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | - | 120 | - | mJ |
    | 重复雪崩电流 | IAR | - | 34 | - | A |
    | 最大功率耗散 | PD | - | 205 | - | W |
    | 栅极-源极最大电压 | VGS | ±30 | - | ±30 | V |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | - | 150 | °C |

    产品特点和优势


    - 低门电荷(Qg):使得驱动要求简单。
    - 改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性:提高了产品的稳定性和可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压及电流:确保产品在多种条件下的可靠运行。
    - 符合RoHS标准:环保无铅设计,符合欧盟RoHS指令。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:用于高频开关电源,如服务器电源。
    - 电机驱动:适合驱动小型直流电机。
    - 太阳能逆变器:高效的电力转换,提升能源利用率。
    使用建议:
    - 确保驱动电路设计合理,避免过高的瞬态电压对MOSFET造成损害。
    - 在散热方面需要充分考虑,以避免因温度过高导致的性能下降。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数工业标准驱动电路兼容,包括但不限于TTL逻辑电平驱动。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线技术支持、样品请求和技术咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何正确接线?
    - 解决方案:请参考产品手册中的接线图,并确保遵循正确的电路布局设计。
    2. 问题:在高温环境下如何保证稳定性?
    - 解决方案:适当增加散热措施,例如使用散热片或风扇,并确保MOSFET工作在允许的工作温度范围内。
    3. 问题:如何检测MOSFET是否损坏?
    - 解决方案:使用万用表测量漏源电阻(RDS(on))或使用专业的测试设备进行详细测试。

    总结和推荐


    综合评估:
    - IRFR430BTF N-Channel MOSFET 以其优异的性能、可靠性和广泛的适用性成为许多电子系统的关键组件。
    - 特别适用于需要高效、高频率开关的电力应用场合。
    推荐使用:
    - 强烈推荐在各种电力管理和控制应用中使用该产品。其优良的特性和良好的市场口碑使其成为值得信赖的选择。
    如有任何疑问或需求进一步的支持,可以随时联系我们的服务热线:400-655-8788。

IRFR430BTF-VB参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 950mΩ@ 10V
Id-连续漏极电流 5A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 30V
最大功率耗散 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

IRFR430BTF-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

IRFR430BTF-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 IRFR430BTF-VB IRFR430BTF-VB数据手册

IRFR430BTF-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 2.9798
2500+ ¥ 2.8502
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型号 价格(含增值税)
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