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J494-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-60V,-30A,RDS(ON),58mΩ@10V,69mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1~ -3Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: J494-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J494-VB

J494-VB概述

    J494-VB P-Channel MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    J494-VB 是一种P沟道60V(D-S)MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛应用于多种电子设备中,特别是在需要高电压开关控制的应用场景中,例如电源管理、电机驱动和逆变器等。该产品具备多种高级特性,旨在满足现代电子产品对高效能和可靠性要求。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | -60 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th)| -1.0 | - | -2.5 | V |
    | 栅漏电 | IGSS | -250 | nA | +250 | nA |
    | 零栅压漏电流 | IDSS | -1.0 | - | -50 | µA |
    | 导通漏电流 | ID(on) | -30 | A | -
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.050 | Ω | 0.060 | Ω |
    | 前向转移电导 | gfs | 40 | S | -
    | 输入电容 | Ciss | - | - | 1765 | pF |
    | 输出电容 | Coss | - | - | 230 | pF |
    | 反向转移电容 | Crss | - | - | 180 | pF |
    | 总栅电荷 | Qg | - | 67 | - | nC |

    3. 产品特点和优势


    J494-VB 的核心优势包括:
    - 无卤素:符合IEC 61249-2-21标准定义,适用于环保要求高的场合。
    - TrenchFET® 技术:采用先进的沟槽技术,显著提高开关速度和降低导通损耗。
    - 100% Rg 和 UIS 测试:确保每个产品的可靠性和一致性。
    - RoHS合规:符合RoHS指令2002/95/EC的要求,适用于欧洲市场。

    4. 应用案例和使用建议


    J494-VB 主要用于需要高电压开关的应用场景。例如,在电源管理中,它可以作为开关元件来调节输出电压。在电机驱动系统中,它用于控制电机的正反转。在逆变器应用中,它能有效地进行直流到交流的转换。
    使用建议:
    - 在使用J494-VB时,确保其漏源电压(VDS)不超过60V,以避免击穿风险。
    - 在高频率应用中,注意栅极电容的影响,以防止开关损耗增加。
    - 在选择合适的驱动电路时,需考虑总栅电荷(Qg)对功耗的影响。

    5. 兼容性和支持


    J494-VB 与大多数标准电子设备兼容,可轻松集成到现有系统中。VBsemi 提供全面的技术支持,包括设计咨询、产品选型和售后服务。如果您有任何技术问题,可以联系官方客服热线:400-655-8788。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:接通瞬间电流过大,导致烧毁。
    解决方法:确保接通时的栅极电阻(Rg)适当,以控制接通时间。
    2. 问题:导通电阻过高,导致发热严重。
    解决方法:检查温度条件是否正常,并在必要时增加散热措施。
    3. 问题:零栅压漏电流不稳定。
    解决方法:确保操作条件在指定范围内,特别是漏源电压和栅源电压。

    7. 总结和推荐


    J494-VB P-Channel MOSFET 是一款高性能、高可靠性的电子元器件,特别适合于高电压开关应用。其先进的TrenchFET技术、严格的测试标准和无卤素特性使其在市场上具有明显的优势。鉴于其优异的性能和广泛的适用范围,强烈推荐在各类高电压电子设备中使用。
    通过以上详细解析,相信您对J494-VB P-Channel MOSFET 有了全面的了解。如需进一步的技术支持或应用建议,请随时联系我们的客服团队。

J494-VB参数

参数
配置 -
通道数量 -
栅极电荷 -
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 30A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 58mΩ@10V,69mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -1V~-3V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

J494-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J494-VB数据手册

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J494-VB封装设计

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