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FQU7N20-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,10A,RDS(ON),270mΩ@10V,320mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3Vth(V) 封装:TO251
供应商型号: FQU7N20-VB TO251
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FQU7N20-VB

FQU7N20-VB概述


    产品简介


    N-Channel 200V MOSFET(型号:FQU7N20)
    类型:N-Channel MOSFET
    主要功能:该器件采用TrenchFET®技术,适用于开关电源、电机控制等应用。在PWM优化设计下,能够提供出色的电流处理能力和低导通电阻,确保高效能表现。
    应用领域:作为初级侧开关,广泛应用于电源管理、直流-直流转换器、电机驱动等领域。

    技术参数


    - 漏源电压 (VDS):200 V
    - 栅源电压 (VGS):± 20 V
    - 连续漏极电流 (TJ = 175°C):8 A @ TC = 25°C,5 A @ TC = 125°C
    - 脉冲漏极电流 (IDM):25 A
    - 连续源电流 (IS):5 A
    - 雪崩击穿电流 (IAS):5 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):18 mJ
    - 最大功耗 (TC = 25°C):96 W
    - 最大结温 (TJ):175°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55°C 至 175°C
    - 热阻抗 (RthJA):15 °C/W (典型值),18 °C/W (最大值)
    - 结到外壳热阻 (RthJC):0.85 °C/W (典型值),1.1 °C/W (最大值)

    产品特点和优势


    - 高可靠性:175°C的工作温度保证了在极端环境下的稳定运行。
    - 低导通电阻 (RDS(on)):在10 V栅源电压下的RDS(on)为0.320Ω,降低了功耗并提高了效率。
    - PWM优化:适合脉宽调制应用,优化了开关损耗。
    - RoHS合规:符合欧盟RoHS指令2002/95/EC要求,环保安全。

    应用案例和使用建议


    应用案例:在直流-直流转换器中的初级侧开关。例如,在一个5V输出的降压转换器中,该MOSFET作为开关管,能够在较高的输入电压下高效地将电压降至所需的水平。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,需要考虑其热管理策略,以确保其长期可靠运行。
    - 对于需要高瞬态响应的应用,建议配合良好的散热设计。
    - 在设计时应注意栅极驱动电路的设计,以减少驱动损耗和提高系统整体效率。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件与大多数标准MOSFET驱动器兼容,如常见的PWM控制器。
    - 支持:供应商提供详尽的技术文档和专业技术支持,以帮助用户在开发过程中解决各类问题。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:在高温环境下,MOSFET的导通电阻增大。
    解决方案:通过优化散热设计,例如增加散热片或使用水冷装置,来降低结温。

    2. 问题:MOSFET在短路时发生过热损坏。
    解决方案:添加外部保护电路,如快速熔断器或过流保护IC,以防止因电流过大导致的损坏。

    3. 问题:栅极驱动信号不稳定。
    解决方案:确保栅极驱动电路具有足够的驱动能力,并采用合适的门限电平,以避免误触发或振荡。

    总结和推荐


    综合评估:FQU7N20 N-Channel 200V MOSFET是一款高性能、高可靠性的开关管,适用于多种电源管理应用。其优秀的热性能和低导通电阻使其在复杂环境中仍能保持高效运行。特别是对于PWM优化设计的应用场合,这款MOSFET表现出色。
    推荐结论:鉴于其优异的性能和广泛应用的适应性,强烈推荐在电源管理和电机控制等相关应用中使用FQU7N20。该产品具备高性价比,能够满足大多数用户的需求。

FQU7N20-VB参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V
最大功率耗散 -
配置 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 270mΩ@10V,320mΩ@4.5V
Vds-漏源极击穿电压 200V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
Id-连续漏极电流 10A
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FQU7N20-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FQU7N20-VB数据手册

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FQU7N20-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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100+ ¥ 1.7089
500+ ¥ 1.5722
4000+ ¥ 1.5038
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