处理中...

首页  >  产品百科  >  4134W-VB

4134W-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nN沟道,30V,12A,RDS(ON),12mΩ@10V,15mΩ@4.5V,20Vgs(±V);0.8~2.5Vth(V) 封装:SOP8 适用于低功率控制和驱动应用,包括信号放大模块、电源管理模块、电流检测模块等领域。
供应商型号: 4134W-VB SOP8
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) 4134W-VB

4134W-VB概述

    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 是一款适用于高边同步整流操作的低导通电阻功率MOSFET。它具有卤素自由材料特性,广泛应用于笔记本电脑CPU核心的高边开关等场景。这款产品经过100% Rg测试和100% UIS测试,确保其质量和可靠性。

    技术参数


    - 额定电压 (VDS):30 V
    - 连续漏极电流 (ID):13 A(TC=25°C),7 A(TA=70°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):45 A
    - 最大单脉冲雪崩电流 (IAS):20 A
    - 最大雪崩能量 (EAS):21 mJ
    - 最大耗散功率 (PD):4.1 W(TC=25°C),1.3 W(TA=70°C)
    - 热阻 (RthJA):39°C/W(典型值),55°C/W(最大值)
    - 温度范围 (TJ, Tstg):-55 至 150°C
    - 静态阈值电压 (VGS(th)):1.0 V 至 3.0 V(ID=250 µA)
    - 动态输入电容 (Ciss):800 pF(VDS=15 V,VGS=0 V)
    - 输出电容 (Coss):165 pF
    - 反向传输电容 (Crss):73 pF
    - 总栅极电荷 (Qg):15 nC(VGS=10 V,ID=10 A)

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:100% Rg和UIS测试保证了产品的质量。
    2. 优化设计:专为高边同步整流操作优化,适合笔记本CPU核心的高边开关。
    3. 低导通电阻:在VGS=10 V时,RDS(on)仅为0.008 Ω;在VGS=4.5 V时,RDS(on)为0.011 Ω。
    4. 良好的热性能:具备较低的热阻(RthJA=39°C/W)。
    5. 耐高温:工作温度范围宽广(-55°C至150°C)。

    应用案例和使用建议


    1. 笔记本CPU核心高边开关:用于高性能计算和电源管理电路中。
    2. 电源转换电路:可以提高电源转换效率和稳定性。
    3. 电机驱动:在电机控制中起到关键作用,提供高效稳定的电力输送。
    使用建议:
    - 确保电路布局合理,避免过热和热失控。
    - 在高频应用中,注意栅极驱动电阻的选择以减少开关损耗。
    - 为改善散热效果,建议在使用过程中采用适当的散热措施。

    兼容性和支持


    - 兼容性:这款MOSFET支持标准SO-8封装,可轻松集成到现有电路中。
    - 厂商支持:VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下出现异常。
    - 解决方法:检查散热设计是否充分,必要时增加外部散热装置。
    2. 问题:电路中存在噪声干扰。
    - 解决方法:优化电路布局,增加滤波电容或使用屏蔽线缆以减少电磁干扰。
    3. 问题:产品损坏。
    - 解决方法:检查电路连接是否正确,避免反向电压输入。

    总结和推荐


    这款N-Channel 30-V (D-S) MOSFET凭借其高可靠性、优化设计和卓越的热性能,在笔记本电脑CPU核心高边开关和其他需要高效电力传输的应用场景中表现出色。我们强烈推荐此产品给寻求高质量电力管理和高性能电子设备开发的工程师和制造商。

4134W-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 800mV~2.5V
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
配置 -
栅极电荷 -
最大功率耗散 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Rds(On)-漏源导通电阻 12mΩ@10V,15mΩ@4.5V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 12A
通用封装 SOP-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

4134W-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

4134W-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 4134W-VB 4134W-VB数据手册

4134W-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
25+ ¥ 1.1656
100+ ¥ 1.0793
500+ ¥ 1.0361
4000+ ¥ 0.9929
库存: 400000
起订量: 25 增量: 4000
交货地:
最小起订量为:25
合计: ¥ 29.14
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0