处理中...

首页  >  产品百科  >  K5A60D-VB

K5A60D-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。 一款单N沟道功率场效应晶体管(FET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。其封装为TO220F,具有高性能和可靠性,适用于多种需要单N沟道FET的应用场景。650V,7A,RDS(ON),1100mΩ@10V,20Vgs(±V);3.5Vth(V)
供应商型号: K5A60D-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K5A60D-VB

K5A60D-VB概述

    K5A60D N-Channel Power MOSFET 技术手册概述

    产品简介


    K5A60D 是一款高性能 N-Channel 功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于多种高效率电力转换系统中。其核心功能包括低通态电阻 (RDS(on)) 和低栅极电荷 (Qg),能够显著减少开关和导通损耗,从而提高系统的整体能效。这款 MOSFET 在服务器和电信电源、开关模式电源 (SMPS)、功率因数校正 (PFC) 电源和照明等领域具有卓越的表现。

    技术参数


    以下是 K5A60D 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压 (VDS) 650 V |
    | 栅源阈值电压 (VGS(th)) | 2.5 5 | V |
    | 通态电阻 (RDS(on)) 1.0 Ω |
    | 栅极电荷 (Qg) 36 nC |
    | 输入电容 (Ciss) | pF |
    | 输出电容 (Coss) | pF |
    | 反向转移电容 (Crss) | pF |

    产品特点和优势


    - 低通态电阻 (RDS(on)):显著减少导通损耗。
    - 低栅极电荷 (Qg):降低开关损耗,提升系统能效。
    - 高重复脉冲能量 (EAS):保证在极端工作条件下仍能稳定运行。
    - 卓越的热阻性能:有效散热,确保长时间高效工作。

    应用案例和使用建议


    K5A60D 主要应用于服务器和电信电源、开关模式电源、功率因数校正电源和照明系统。例如,在服务器电源中,它可以用于高效直流-直流转换,实现低损耗和高效率。在设计和应用中,建议注意电路布局的优化,以减少寄生电感和提升热管理效果。

    兼容性和支持


    K5A60D 采用 TO-220 Fullpak 封装,与同类产品兼容良好。制造商提供详尽的技术文档和客户支持,确保用户在安装和调试过程中获得最佳体验。如有任何疑问,可联系台湾 VBsemi 客户服务团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - Q: 开关损耗过大怎么办?
    - A: 调整栅极驱动信号,减小栅极电荷 (Qg),或者选择更合适的栅极电阻 (Rg)。

    - Q: 发热严重如何处理?
    - A: 优化散热路径,确保良好的热管理设计;在高功率应用场景下,考虑使用散热片或散热器。

    总结和推荐


    综上所述,K5A60D 是一款高性能、高可靠性的 N-Channel 功率 MOSFET,特别适合于要求低损耗、高效率的应用场合。其卓越的性能和广泛的适用性使其成为服务器、通信设备、工业电源系统和其他高功率转换应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能 MOSFET 的工程师和技术人员。

K5A60D-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 7A
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Rds(On)-漏源导通电阻 1.1Ω@ 10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Vds-漏源极击穿电压 650V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
配置 -
通道数量 -
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

K5A60D-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K5A60D-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 K5A60D-VB K5A60D-VB数据手册

K5A60D-VB封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 3.498
100+ ¥ 3.2389
500+ ¥ 3.1093
1000+ ¥ 2.9798
库存: 400000
起订量: 10 增量: 1000
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 34.98
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336