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J326-Z-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: 台积电流片,长电封测。\nP沟道,-60V,-38A,RDS(ON),61mΩ@10V,72mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1.3Vth(V) 封装:TO252\n可用于稳压器、电源开关模块等领域。其低导通电阻和高阈值电压使其特别适用于需要高效率和高稳定性的应用,如无线通信设备中的功率放大器模块、LED照明驱动器等。此外,其低阈值电压和大额定漏极电流也使其成为家用电器控制模块、工业电机控制器等领域的理想选择。
供应商型号: 14M-J326-Z-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) J326-Z-VB

J326-Z-VB概述

    #

    产品简介


    本产品是一款P沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为J326-Z。它主要用于负载开关(Load Switch)的应用场景。P沟道MOSFET通过控制栅极电压来调节电流流动,适用于多种电子设备中的功率控制和切换操作。
    主要特点:
    - 低导通电阻:确保高效率的电力传输。
    - 高可靠性:所有产品经过100% UIS测试。
    - 广泛的温度范围:能够在-55°C到175°C的温度范围内正常工作。
    - 高性能:在各种条件下的稳定表现。
    应用领域:
    - 负载开关:适用于电源管理和控制电路。
    - 其他高功率电子系统:如通信设备、汽车电子和工业控制系统等。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS -60 | V |
    | 栅极阈值电压 | VGS(th) | -1.0 | -2.0 | -3.0 | V |
    | 零栅极电压漏电流 | IDSS | -1 -50 | µA |
    | 导通状态下漏源电阻 | rDS(on) | 0.100 | 0.150 Ω |
    | 转导电容 | Crss | 100 pF |
    | 总栅极电荷 | Qg | 10 nC |
    | 峰值漏极电流 | IDM -25 | A |
    | 绝对最大栅极电压 | VGS | ±20 V |

    产品特点和优势


    独特功能:
    - 先进的TrenchFET®技术:保证高效率和高可靠性。
    - 100% UIS测试:确保产品的稳定性和耐用性。
    市场竞争力:
    - 高效能:低导通电阻保证高效率。
    - 广泛适用性:在各种温度条件下均能保持稳定性能。
    - 易于集成:适合多种应用场景,包括负载开关和其他高功率系统。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:在通信设备和计算机电源中作为开关使用。
    - 汽车电子:用于车辆的电力管理和控制。
    - 工业控制:在各种工业控制系统中作为功率控制元件。
    使用建议:
    - 布局设计:确保合理的散热设计,避免过热损坏。
    - 连接方式:使用推荐的最小焊盘尺寸进行焊接以保证良好的机械连接和电气连接。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准的表面贴装工艺兼容,适合自动贴片机安装。
    - 技术支持:提供详尽的技术文档和应用指南,可通过服务热线400-655-8788联系厂商获取技术支持。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方法:
    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 过热导致器件损坏 | 确保良好的散热设计,使用合适的散热器。 |
    | 工作电压超过额定值 | 严格遵守产品的额定电压,避免过压。 |
    | 开关频率过高导致性能下降 | 降低开关频率,确保器件在额定参数内工作。|

    总结和推荐


    综合评估:
    - 主要优点:
    - 高效的电力传输:低导通电阻确保了高效率。
    - 广泛的温度适应性:可在极端环境下稳定工作。
    - 高可靠性:通过100% UIS测试,确保长期使用无故障。
    推荐使用:
    - 由于其卓越的性能和广泛的应用场景,强烈推荐在各种高功率电子系统中使用此产品。无论是电源管理还是负载开关,这款P沟道MOSFET都能提供可靠且高效的解决方案。

J326-Z-VB参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 -
FET类型 1个P沟道
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 61mΩ@10V,72mΩ@4.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Vds-漏源极击穿电压 60V
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 38A
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.3V
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

J326-Z-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

J326-Z-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 J326-Z-VB J326-Z-VB数据手册

J326-Z-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 3.096
10+ ¥ 2.9139
30+ ¥ 2.6007
100+ ¥ 1.9487
2500+ ¥ 1.8758
7500+ ¥ 1.8212
库存: 20
起订量: 1 增量: 2500
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型号 价格(含增值税)
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