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UTT25P10L-TN3-R-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: P—Channel沟道,-100V,-15A,RDS(ON),120mΩ@10V,144mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-2Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: UTT25P10L-TN3-R-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) UTT25P10L-TN3-R-VB

UTT25P10L-TN3-R-VB概述


    产品简介


    P-Channel 100V MOSFET(型号:UTT25P10L-TN3-R)是一款高性能的功率场效应晶体管(P-Channel MOSFET),采用先进的TrenchFET®技术制造。此器件具有低导通电阻(RDS(on))、高击穿电压和卓越的热稳定性,非常适合在开关电源、DC/DC转换器和其他功率控制应用中使用。
    主要功能:
    - 提供高效的电流控制能力,适合开关模式电路设计。
    - 具有低导通电阻,降低功耗并提升效率。
    - 符合RoHS和无卤素环保标准,符合国际安全要求。
    应用领域:
    - 开关电源(Power Switch)
    - DC/DC转换器
    - 各种功率管理设备

    技术参数


    以下为关键技术和性能参数列表:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDS | - | 100 | - | V |
    | 栅源阈值电压 | VGS(th) | - | 1.0 | 2.5 | V |
    | 栅极泄漏电流 | IGSS | - | ±250 | - | nA |
    | 漏极连续电流 | ID | - | -16 | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IAS | - | -18 | - | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 0.100 | 0.120 | - | Ω |
    | 栅电荷 | Qg | 11.7 | 17.6 | - | nC |
    | 栅极输入电容 | Ciss | 1055 | - | - | pF |
    | 栅极-漏极电荷 | Qgd | 4.8 | - | - | nC |
    | 最高工作温度 | TJ | -55 | 150 | - | °C |
    其他性能指标:
    - 封装形式:TO-252AA
    - 工作电压范围:-100V 至 +0V
    - 功率损耗:32.1W(额定值)
    - 热阻抗:50°C/W(结到环境)

    产品特点和优势


    - 高效能与低损耗:由于其较低的导通电阻(RDS(on)),该器件在大电流应用中表现出色,能有效减少能量损失。
    - 快速开关速度:优异的栅电荷和动态特性使其适用于高频开关应用。
    - 环保设计:完全符合RoHS标准且无卤素,满足现代电子产品对环保的要求。
    - 强可靠性:通过UIS测试和100% RG验证,确保长期运行的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在典型开关电源设计中,用于电池管理系统或DC/DC转换器中作为主控开关元件。
    - 可应用于工业自动化控制系统中实现精准功率调节。
    使用建议:
    - 当设计电路时,注意散热管理,避免因过热导致器件失效。
    - 在实际布局中,建议将芯片的散热金属片与PCB板紧密连接以提高散热效率。
    - 配合PWM控制器使用时,可进一步优化负载切换频率和响应速度。

    兼容性和支持


    该产品支持主流电路设计平台,如TI、STMicroelectronics等常用PWM控制IC配合使用非常便捷。同时,厂商提供详细的资料包及在线技术支持,帮助用户解决设计过程中的任何技术问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开机瞬间发热严重 | 优化PCB布局,增加散热铜箔面积。 |
    | 栅极驱动不稳定 | 确保栅极电阻阻值合理,一般建议1~5Ω。 |
    | 过流保护触发频繁 | 检查负载回路是否异常,适当调整限流设置。 |

    总结和推荐


    UTT25P10L-TN3-R是一款兼具高效能与环保特性的P-Channel MOSFET,尤其适合对开关效率和热管理要求较高的应用场合。凭借其优越的技术指标、可靠的设计及强大的技术支持,强烈推荐用于电源管理和直流-直流转换系统的设计中。如果您正在寻找一款兼顾性能与成本效益的MOSFET产品,这款器件无疑是一个理想的选择。

UTT25P10L-TN3-R-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
Rds(On)-漏源导通电阻 120mΩ@10V,144mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
栅极电荷 -
Id-连续漏极电流 15A
FET类型 1个P沟道
配置 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

UTT25P10L-TN3-R-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

UTT25P10L-TN3-R-VB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 UTT25P10L-TN3-R-VB UTT25P10L-TN3-R-VB数据手册

UTT25P10L-TN3-R-VB封装设计

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