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K3124-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,650V,4A,RDS(ON),2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V,20Vgs(±V);3.5Vth(V) 封装:TO252
供应商型号: K3124-VB TO252
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) K3124-VB

K3124-VB概述

    Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    Power MOSFET(功率金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电路中的关键电子元器件。它以其高效率和高速度著称,在通信设备、工业自动化、汽车电子和可再生能源系统中发挥着重要作用。

    技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 通态电阻 \( R{DS(on)} \)(\( V{GS} = 10 V \)): 2.1 Ω
    - 总栅极电荷 \( Qg \)(最大值): 48 nC
    - 栅源电荷 \( Q{gs} \): 12 nC
    - 栅漏电荷 \( Q{gd} \): 19 nC
    - 结构配置: 单片型
    - 封装形式: TO-252
    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压 \( V{DS} \): 650 V
    - 栅源电压 \( V{GS} \): ± 30 V
    - 连续漏极电流(\( V{GS} \) 在 10 V): 4.2 A
    - 脉冲漏极电流: 18 A
    - 最大功耗(\( TC = 25 °C \)): 60 W
    - 单脉冲雪崩能量: 325 mJ
    - 重复雪崩电流: 4 A
    - 重复雪崩能量: 6 mJ
    - 工作结温及存储温度范围: -55 °C 至 +150 °C

    产品特点和优势


    这款Power MOSFET具备以下几个显著特点:
    - 低栅极电荷:通过减少驱动需求来降低功耗,使得驱动更简单。
    - 改善的栅极、雪崩和动态 \( dV/dt \) 耐受力:增强的可靠性。
    - 完全表征的电容和雪崩电压电流:保证了参数的稳定性。
    - 符合RoHS指令2002/95/EC:环保无铅设计,满足欧洲市场要求。

    应用案例和使用建议


    这种MOSFET非常适合用于高频开关电路、逆变器和DC-DC转换器中。例如,在通信设备的电源模块中,它能有效地降低损耗并提高效率。为了更好地利用其特性,建议在选择驱动器时考虑其低栅极电荷特性,以确保驱动电路的简化和高效。此外,对于高压应用,要注意其温度和电压限制,以避免过热和击穿风险。

    兼容性和支持


    本产品与多数常见的电子元件和设备兼容,可用于广泛的电源管理系统。厂商提供了详尽的技术支持和文档,用户可以在官方网站或通过技术支持热线获取更多信息和帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定适合的应用条件?
    - 解决方案:根据手册中的图表和数据表,可以计算出在特定工作条件下的最大允许电流和电压。

    - 问题:如何处理过载情况?
    - 解决方案:手册中详细列出了单脉冲雪崩能量和重复雪崩能量,应在此范围内操作以防止过载损坏。

    总结和推荐


    总的来说,这款Power MOSFET以其高效、可靠的特性,在众多应用场合中表现出色。其低栅极电荷、增强的耐受性和充分的参数表征使其成为高功率应用的理想选择。因此,我强烈推荐使用此产品,尤其是在需要高性能和可靠性的场合。
    此解析涵盖了产品的主要技术参数、特点、应用建议及支持信息,有助于全面了解该产品的性能和使用方法。

K3124-VB参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2200mΩ@10V,2750mΩ@4.5V
最大功率耗散 -
Id-连续漏极电流 4A
栅极电荷 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 650V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 1个N沟道
通道数量 -
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

K3124-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

K3124-VB数据手册

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K3124-VB封装设计

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