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FDPF52N20T-VB

产品分类: 场效应管(MOSFET)
产品描述: N—Channel沟道,200V,45A,RDS(ON),38mΩ@10V,43mΩ@4.5V,20Vgs(±V);2Vth(V) 封装:TO220F
供应商型号: FDPF52N20T-VB TO220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) FDPF52N20T-VB

FDPF52N20T-VB概述

    FDPF52N20T-VB N-Channel 200-V MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    产品类型:FDPF52N20T-VB 是一款由VBsemi生产的N-沟道200V耐压的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。
    主要功能:该MOSFET采用TrenchFET®工艺制造,具备低导通电阻和高电流能力,适用于电源和照明系统的应用。
    应用领域:该器件广泛应用于电源管理和照明系统中,如开关电源、电机驱动、电池充电器及各种电力转换电路。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏极-源极电压 | VDS | 200 | - | - | V |
    | 栅极-源极电压 | VGS | ± 25 | - | - | V |
    | 连续漏极电流 (TJ = 175°C) | ID | 45 | - | - | A |
    | 脉冲漏极电流 | IDM | 150 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩电流 | IA | 20 | - | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量 | EAS | 20 | - | - | mJ |
    | 最大功率耗散 | PD | 55 | - | - | W |
    | 热阻抗 (PCB安装) | RthJA | 40 | - | - | °C/W |
    | 热阻抗 (结到外壳) | RthJC | 0.75 | - | - | °C/W |
    | 存储温度范围 | Tstg | -55 | - | 175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 高温耐受能力(最高达175°C),保证在极端环境下稳定运行。
    - 全部经过栅极电阻(Rg)和雪崩能量(UIS)测试,确保产品的可靠性和一致性。
    - TrenchFET®技术的应用,使其具有较低的导通电阻(RDS(on))和较高的电流承载能力。
    - 零栅源电压下的漏电流(IDSS)低至50 µA,减少了开关损耗。
    市场竞争力:
    - 在高温环境下表现出色,适合于工业控制、汽车电子等领域。
    - 低导通电阻和高电流承载能力,适用于高效率的电力管理系统。
    - 可靠的雪崩能力和强大的保护机制,增加了产品的长期稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源管理:FDPF52N20T-VB可以用于高效电源设计,例如DC-DC转换器、LED驱动器和充电电路。
    - 照明系统:适用于高功率LED灯条和灯具的开关电路,确保稳定的电流供应。
    使用建议:
    - 散热管理:由于其较大的热阻(RthJA = 40 °C/W),在高功率应用中需注意散热,可通过加装散热片或选择散热性能更好的PCB来改善散热效果。
    - 电路布局:建议尽量缩短栅极引脚的长度,减少寄生电感对开关性能的影响。
    - 可靠性考量:考虑到高温环境下的性能,推荐在系统设计时留有一定的余量,避免长时间满载运行。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:
    - FDPF52N20T-VB可以与其他标准接口和引脚排列的MOSFET产品互换使用。
    - 与常见的电源管理和控制系统组件兼容。
    支持和服务:
    - VBsemi提供全面的技术支持和售后服务,包括详尽的产品文档和技术咨询。
    - 客户可以通过服务热线400-655-8788获取更多技术支持和购买信息。

    6. 常见问题与解决方案


    问题1:如何避免过高的栅极电压导致的损坏?
    解决方案:确保VGS不超过额定的最大值±25V,并使用适当的栅极电阻进行限流,以防止电压尖峰。
    问题2:MOSFET发热严重,怎么降低?
    解决方案:增加散热装置如散热片或水冷散热器,并改进PCB设计以优化散热路径。同时注意不要让器件长时间处于满载状态。

    7. 总结和推荐


    总结:
    FDPF52N20T-VB是一款高性能的N-沟道MOSFET,具有低导通电阻、高温度耐受性和良好的可靠性。它在电源管理和照明系统中表现优异,特别适合需要高效率和高稳定性的应用场景。
    推荐:
    综上所述,FDPF52N20T-VB在许多需要高效率、高温环境稳定性的应用场合中是一个理想的选择。无论是电源设计还是照明系统的应用,这款MOSFET都将是您的首选之一。

FDPF52N20T-VB参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 200V
Id-连续漏极电流 45A
配置 -
最大功率耗散 -
栅极电荷 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V
FET类型 1个N沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 38mΩ@10V,43mΩ@4.5V
通用封装 TO-220F
安装方式 通孔安装
零件状态 在售

FDPF52N20T-VB厂商介绍

VBsemi(微邦半导体)是一家致力于半导体领域的高科技公司,专注于研发和生产各类半导体产品。以下是VBsemi公司的一些基本信息:

1. 主营产品分类:
- 集成电路(IC):包括微处理器、存储器、传感器等。
- 分立器件:如二极管、晶体管、MOSFET等。
- 功率器件:用于电力电子领域的器件,如IGBT、MOSFET等。
- 光电子器件:包括LED、激光器等。

2. 应用领域:
- 消费电子:如智能手机、平板电脑、电视等。
- 工业控制:自动化设备、机器人等。
- 汽车电子:车载娱乐系统、安全系统等。
- 通信设备:基站、路由器、交换机等。
- 医疗设备:诊断设备、治疗设备等。

3. VBsemi的优势:
- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术。
- 质量控制:严格的生产流程和质量管理体系。
- 客户服务:提供定制化解决方案和快速响应客户需求。
- 市场定位:针对不同市场和应用领域提供专业化产品。

VBsemi通过不断的技术创新和市场拓展,致力于为客户提供高质量的半导体产品和服务,以满足全球电子市场的需求。

FDPF52N20T-VB数据手册

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VBSEMI/微碧半导体 场效应管(MOSFET) VBSEMI/微碧半导体 FDPF52N20T-VB FDPF52N20T-VB数据手册

FDPF52N20T-VB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 9.7175
100+ ¥ 8.9977
500+ ¥ 8.2779
1000+ ¥ 7.9179
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